Experimental Calibration of Sn‐Related Varshni Parameters for High Sn Content GeSn Layers

From temperature‐dependent photoluminescence of a single Ge0.84Sn0.16 sample, Sn‐related Varshni parameters are extracted and used as input parameters in an 8‐band k·p model, and predict direct bandgap energies of high Sn content GeSn alloys with concentration varying from 8% to 16%. Then, exhaustiv...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Annalen der Physik 2019-06, Vol.531 (6), p.n/a
Hauptverfasser:	Bertrand, Mathieu, Thai, Quang‐Minh, Chrétien, Jérémie, Pauc, Nicolas, Aubin, Joris, Milord, Laurent, Gassenq, Alban, Hartmann, Jean‐Michel, Chelnokov, Alexei, Calvo, Vincent, Reboud, Vincent
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Energy gap Engineering Sciences GeSn k.p model laser Mathematical models Optics Parameters Photoluminescence Photonic Physics Temperature dependence Tin
Online-Zugang:	Volltext
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