Forming mechanism of Te-based conductive-bridge memories

•The resistive switching of Te-based conductive-bridge memories is investigated in a non-destructive way using hard X-ray photoelectron spectroscopy.•Results highlight the reduction of alumina correlated to the oxidation of zirconium at the ZrTe/Al2O3 interface.•Result also show an enrichment of ele...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied surface science 2018-02, Vol.432 (Part A), p.34-40
Hauptverfasser:	Mendes, M. Kazar, Martinez, E., Marty, A., Veillerot, M., Yamashita, Y., Gassilloud, R., Bernard, M., Renault, O., Barrett, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CBRAM HAXPES Interface chemistry Oxygen scavenging Physics RRAM
Online-Zugang:	Volltext
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