Record Thick -Ga.sub.2O.sub.3Epitaxial Layers Grown on GaN/c-Sapphire

Record thick (up to 100 m) epitaxial layers of a prospective metastable semiconductor Ga.sub.2O.sub.3 were grown by HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) on GaN buffer layers on c-sapphire substrates. The X-ray diffraction pattern of the layers show that the structure of the layer is a pure ([epsilon])-...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics 2023-12, Vol.68 (12), p.689
Hauptverfasser:	Nikolaev, V. I, Polyakov, A. Ya, Stepanov, S. I, Pechnikov, A. I, Nikolaev, V. V, Yakimov, E. B, Scheglov, M. P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Diffraction Epitaxy Gallium nitrate Semiconductors X-rays
Online-Zugang:	Volltext
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