Synthesis of TiN, Ti, and TiSi.sub.2 Thin Films for the Contact System of Solar Cells

The influence of deposition parameters, such as: the magnetron power in the range 690-1400 W, the silicon substrate temperature 23-170°C, the N.sub.2 gas flow rate 0.9-3.6 L/h, the Ar gas flow rate 0.06â3.6 L/h, the ratio of N.sub.2/Ar gas flows 1-60 on the thickness, the density, and the compositio...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physics of the solid state 2020-01, Vol.62 (1), p.48
Hauptverfasser:	Nussupov, K. Kh, Beisenkhanov, N. B, Bakranova, D. I, Keinbay, S, Turakhun, A. A, Sultan, A. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Dielectric films Silicon Thin films Titanium
Online-Zugang:	Volltext
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