Emission-Line Width and [alpha]-Factor of 850-nm Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaAs/AlGaAs Quantum Wells

The emission-line width for 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells is studied. The width of the emission line for a laser with a 2-[micro]m oxide current aperture attains it minimum (~110 MHz) at an output power of 0.8 mW. As the optical outpu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2018-01, Vol.52 (1), p.93
Hauptverfasser:	Blokhin, S.A, Bobrov, M.A, Blokhin, A.A, Kuzmenkov, A.G, Vasilev, A.P, Zadiranov, Yu.M, Evropeytsev, E.A, Sakharov, A.V, Ledentsov, N.N, Karachinsky, L.Ya, Ospennikov, A.M, Maleev, N.A, Ustinov, V.M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Lasers Quantum wells
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!