Photoinduced and equilibrium optical absorption in Ge/Si quantum dots

The results of studies of the optical absorption spectra in Ge/Si quantum dot structures in the mid-infrared region are reported. Two types of structures different in terms of the method used for quantum dot formation and in terms of barrier layer thickness are explored. The photoinduced absorption...

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Veröffentlicht in:Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2012-12, Vol.46 (12), p.1529-1533
Hauptverfasser: Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Shalygin, V. A., Panevin, V. Yu, Sofronov, A. N., Yakimov, A. I., Dvurechenskii, A. V., Tonkikh, A. A., Werner, P.
Format: Artikel
Sprache:eng
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