Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of

The photoluminescence properties of (113) defects formed in a silicon structure after the implantation by oxygen ions with an energy of 350 keV and doses of 1.7 x [10.sup.13] - 1.7 x [10.sup.15] [cm.sup.-2] and the subsequent annealing at a temperature of 700[degrees]C for 0.5-2.0 h in a chlorine-co...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physics of the solid state 2016-12, Vol.58 (12), p.2499
Hauptverfasser:	Sobolev, N.A, Kalyadin, A.E, Aruev, P.N, Zabrodskii, V.V, Shek, E.I, Shtelmakh, K.F, Karabeshkin, K.V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Analysis Annealing Photoluminescence Silicon
Online-Zugang:	Volltext
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