PASSIVES HF-ELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN, ZUM HERSTELLEN UNDZUM BESTIMMEN VON CHARAKTERISTISCHEN EIGENSCHAFTEN DESSELBEN

NOVELTY - A MOS-type passive HF element has depleted interlayer charges at the semiconductor-insulator interface. DETAILED DESCRIPTION - A passive HF element, of conductor-insulator- semiconductor structure, has an arrangement (16a,16b) for producing depletion of interlayer charges in the interface...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Eggert, D, Huebler, P, Huerrich, A, Todt, U, Vorwerk, M
Format:	Patent
Sprache:	ger
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!