High precision stress measurements in semiconductor structures by raman microscopy

Spannungen in Siliziumstrukturen spielen eine entscheidende Rolle für die moderne Halbleitertechnologie. Diese mechanischen Verspannungen müssen gemessen werden und die fortlaufende Miniaturisierung in der Halbleiterindustrie stellt besondere Anforderungen an die benutzte Messmethode. Diese Arbeit b...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Uhlig, Benjamin
Format:	Dissertation
Sprache:	eng
Schlagworte:	Raman Spannungsmessung
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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