DEVICE INCLUDING A THERMALLY PROTECTED SWITCHING TRANSISTOR
A device (1) for supplying electric power to a load (4) connected to the device (1) in a power-on mode comprises a driver stage (7), a control unit (9), adapted to supply turn-on pulses to the driver stage (7), and an output stage (12) with a switching transistor (1) which can be driven into its con...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | HASLER, RUDOLF |
| description | A device (1) for supplying electric power to a load (4) connected to the device (1) in a power-on mode comprises a driver stage (7), a control unit (9), adapted to supply turn-on pulses to the driver stage (7), and an output stage (12) with a switching transistor (1) which can be driven into its conductive state for a time interval (TEIN) by the driver stage (7) in the power-on mode when turn-on pulses occur, and which can be driven into its non-conductive state after expiry of the time interval (TEIN), the driver stage (7) being also adapted to monitor the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) and to activate a power-off mode when the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) exceeds a first limit temperature (TG1), in which power-off mode the switching transistor (11) is permanently driven into its non-conductive state by the driver stage (7) in spite of the occurrence of turn-on pulses (IS), the driver stage (7) further comprising a sensing transistor (21), a sensing resistor (22), a turn-on transistor (23), a turn-on resistor (24) for monitoring the operating temperature (TS) of the switching transistor (11), as well as a zener diode (29) and a turn-off stage (32) for obtaining a short switching time of the switching transistor (11), the sensing transistor (21) being arranged so as to be substantially uninfluenced by the operating temperature (TS) of the switching transistor (11).
Un dispositif (1), permettant de fournir de l'énergie électrique à une charge (4) connectée audit dispositif (1) sur un mode mise sous tension, comprend un étage d'attaque (7), une unité de commande (9), conçue pour fournir des impulsions de mise en marche à l'étage d'attaque (7), et un étage de sortie (12) comportant un transistor de commutation (11). Le transistor de commutation (11) peut être excité par l'étage d'attaque (7), sur le mode mise sous tension, de façon à passer dans son état conducteur pendant un intervalle de temps (TEIN) quand les impulsions de mise en marche arrivent, et à passer dans son état non conducteur après expiration dudit intervalle de temps (TEIN). L'étage d'attaque est également conçu pour contrôler la température de fonctionnement (TS) du transistor (11) et pour activer un mode mise hors tension quand la température de fonctionnement (TS) dudit transistor (11) dépasse une première température limite (TG1). Sur le mode mise hors tension, le transistor (11) est excité en permanence dans son état non conducte |
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Un dispositif (1), permettant de fournir de l'énergie électrique à une charge (4) connectée audit dispositif (1) sur un mode mise sous tension, comprend un étage d'attaque (7), une unité de commande (9), conçue pour fournir des impulsions de mise en marche à l'étage d'attaque (7), et un étage de sortie (12) comportant un transistor de commutation (11). Le transistor de commutation (11) peut être excité par l'étage d'attaque (7), sur le mode mise sous tension, de façon à passer dans son état conducteur pendant un intervalle de temps (TEIN) quand les impulsions de mise en marche arrivent, et à passer dans son état non conducteur après expiration dudit intervalle de temps (TEIN). L'étage d'attaque est également conçu pour contrôler la température de fonctionnement (TS) du transistor (11) et pour activer un mode mise hors tension quand la température de fonctionnement (TS) dudit transistor (11) dépasse une première température limite (TG1). Sur le mode mise hors tension, le transistor (11) est excité en permanence dans son état non conducteur par l'étage excitateur (7) malgré l'arrivée d'impulsions de mise en marche (IS). L'étage d'attaque (7) comprend également un transistor de détection (21), une résistance de détection (22), un transistor de mise sous tension (23), une résistance de mise en marche (24) permettant de contrôler la température (TS) du transistor de commutation (11), ainsi qu'une diode Zener (29) et un étage de mise hors tension (32) permettant de basculer rapidement le transistor de commutation (11). Le transistor de détection (21) est conçu pour être sensiblement non influencé par la température de fonctionnement (TS) du transistor de commutation (11).</description><edition>6</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; CONTROLLING ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRICITY ; EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS ; GENERATION ; PHYSICS ; PULSE TECHNIQUE ; REGULATING ; SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES</subject><creationdate>1998</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19980618&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9826487A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19980618&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9826487A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HASLER, RUDOLF</creatorcontrib><title>DEVICE INCLUDING A THERMALLY PROTECTED SWITCHING TRANSISTOR</title><description>A device (1) for supplying electric power to a load (4) connected to the device (1) in a power-on mode comprises a driver stage (7), a control unit (9), adapted to supply turn-on pulses to the driver stage (7), and an output stage (12) with a switching transistor (1) which can be driven into its conductive state for a time interval (TEIN) by the driver stage (7) in the power-on mode when turn-on pulses occur, and which can be driven into its non-conductive state after expiry of the time interval (TEIN), the driver stage (7) being also adapted to monitor the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) and to activate a power-off mode when the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) exceeds a first limit temperature (TG1), in which power-off mode the switching transistor (11) is permanently driven into its non-conductive state by the driver stage (7) in spite of the occurrence of turn-on pulses (IS), the driver stage (7) further comprising a sensing transistor (21), a sensing resistor (22), a turn-on transistor (23), a turn-on resistor (24) for monitoring the operating temperature (TS) of the switching transistor (11), as well as a zener diode (29) and a turn-off stage (32) for obtaining a short switching time of the switching transistor (11), the sensing transistor (21) being arranged so as to be substantially uninfluenced by the operating temperature (TS) of the switching transistor (11).
Un dispositif (1), permettant de fournir de l'énergie électrique à une charge (4) connectée audit dispositif (1) sur un mode mise sous tension, comprend un étage d'attaque (7), une unité de commande (9), conçue pour fournir des impulsions de mise en marche à l'étage d'attaque (7), et un étage de sortie (12) comportant un transistor de commutation (11). Le transistor de commutation (11) peut être excité par l'étage d'attaque (7), sur le mode mise sous tension, de façon à passer dans son état conducteur pendant un intervalle de temps (TEIN) quand les impulsions de mise en marche arrivent, et à passer dans son état non conducteur après expiration dudit intervalle de temps (TEIN). L'étage d'attaque est également conçu pour contrôler la température de fonctionnement (TS) du transistor (11) et pour activer un mode mise hors tension quand la température de fonctionnement (TS) dudit transistor (11) dépasse une première température limite (TG1). Sur le mode mise hors tension, le transistor (11) est excité en permanence dans son état non conducteur par l'étage excitateur (7) malgré l'arrivée d'impulsions de mise en marche (IS). L'étage d'attaque (7) comprend également un transistor de détection (21), une résistance de détection (22), un transistor de mise sous tension (23), une résistance de mise en marche (24) permettant de contrôler la température (TS) du transistor de commutation (11), ainsi qu'une diode Zener (29) et un étage de mise hors tension (32) permettant de basculer rapidement le transistor de commutation (11). Le transistor de détection (21) est conçu pour être sensiblement non influencé par la température de fonctionnement (TS) du transistor de commutation (11).</description><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>CONTROLLING</subject><subject>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS</subject><subject>GENERATION</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>PULSE TECHNIQUE</subject><subject>REGULATING</subject><subject>SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1998</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLB2cQ3zdHZV8PRz9gl18fRzV3BUCPFwDfJ19PGJVAgI8g9xdQ5xdVEIDvcMcfYAyYcEOfoFewaH-AfxMLCmJeYUp_JCaW4GBTdXoCrd1IL8-NTigsTk1LzUkvhwf0sLIzMTC3NHQ2MilAAArnQpdw</recordid><startdate>19980618</startdate><enddate>19980618</enddate><creator>HASLER, RUDOLF</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19980618</creationdate><title>DEVICE INCLUDING A THERMALLY PROTECTED SWITCHING TRANSISTOR</title><author>HASLER, RUDOLF</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO9826487A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>1998</creationdate><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>CONTROLLING</topic><topic>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS</topic><topic>GENERATION</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>PULSE TECHNIQUE</topic><topic>REGULATING</topic><topic>SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HASLER, RUDOLF</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HASLER, RUDOLF</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE INCLUDING A THERMALLY PROTECTED SWITCHING TRANSISTOR</title><date>1998-06-18</date><risdate>1998</risdate><abstract>A device (1) for supplying electric power to a load (4) connected to the device (1) in a power-on mode comprises a driver stage (7), a control unit (9), adapted to supply turn-on pulses to the driver stage (7), and an output stage (12) with a switching transistor (1) which can be driven into its conductive state for a time interval (TEIN) by the driver stage (7) in the power-on mode when turn-on pulses occur, and which can be driven into its non-conductive state after expiry of the time interval (TEIN), the driver stage (7) being also adapted to monitor the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) and to activate a power-off mode when the operating temperature (TS) of the switching transistor (11) exceeds a first limit temperature (TG1), in which power-off mode the switching transistor (11) is permanently driven into its non-conductive state by the driver stage (7) in spite of the occurrence of turn-on pulses (IS), the driver stage (7) further comprising a sensing transistor (21), a sensing resistor (22), a turn-on transistor (23), a turn-on resistor (24) for monitoring the operating temperature (TS) of the switching transistor (11), as well as a zener diode (29) and a turn-off stage (32) for obtaining a short switching time of the switching transistor (11), the sensing transistor (21) being arranged so as to be substantially uninfluenced by the operating temperature (TS) of the switching transistor (11).
Un dispositif (1), permettant de fournir de l'énergie électrique à une charge (4) connectée audit dispositif (1) sur un mode mise sous tension, comprend un étage d'attaque (7), une unité de commande (9), conçue pour fournir des impulsions de mise en marche à l'étage d'attaque (7), et un étage de sortie (12) comportant un transistor de commutation (11). Le transistor de commutation (11) peut être excité par l'étage d'attaque (7), sur le mode mise sous tension, de façon à passer dans son état conducteur pendant un intervalle de temps (TEIN) quand les impulsions de mise en marche arrivent, et à passer dans son état non conducteur après expiration dudit intervalle de temps (TEIN). L'étage d'attaque est également conçu pour contrôler la température de fonctionnement (TS) du transistor (11) et pour activer un mode mise hors tension quand la température de fonctionnement (TS) dudit transistor (11) dépasse une première température limite (TG1). Sur le mode mise hors tension, le transistor (11) est excité en permanence dans son état non conducteur par l'étage excitateur (7) malgré l'arrivée d'impulsions de mise en marche (IS). L'étage d'attaque (7) comprend également un transistor de détection (21), une résistance de détection (22), un transistor de mise sous tension (23), une résistance de mise en marche (24) permettant de contrôler la température (TS) du transistor de commutation (11), ainsi qu'une diode Zener (29) et un étage de mise hors tension (32) permettant de basculer rapidement le transistor de commutation (11). Le transistor de détection (21) est conçu pour être sensiblement non influencé par la température de fonctionnement (TS) du transistor de commutation (11).</abstract><edition>6</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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