LASER MATERIAL
The invention pertains to quantum electronics, specifically to materials for laser technology, and is intended for use in solid-state lasers with a generation wavelength of between 2.8 and 3.1 mu m. The technical problem addressed by the invention is that of raising the amplification coefficient of...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; rus |
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creator | UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH |
description | The invention pertains to quantum electronics, specifically to materials for laser technology, and is intended for use in solid-state lasers with a generation wavelength of between 2.8 and 3.1 mu m. The technical problem addressed by the invention is that of raising the amplification coefficient of the laser material, lowering the stimulation threshold of generation, increasing generation efficiency and widening the available range of industrial generating systems with continuously variable emission wavelengths in the range 2.8-3.1 mu m, including those operating in short-pulse generation and amplification modes. In specific embodiments, the aim of the invention is also to prevent fissures forming in the crystal, reduce scattering, improve emission stability and reduce passive absorption. The laser material has a garnet structure and is characterised in that it contains between 0.025 and 2.95 f. units holmium and in addition at least one of the following elements: Li, Be, B, Na, Ca, Mg, Si, K, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Bi, in quantities of between 1 X 10 cm and 5 X 10 cm.
Cette invention se rapporte au domaine de l'électronique quantique, notamment à des matériaux employés dans les techniques des lasers, et peut être utilisée dans des lasers à corps solides dont la longueur d'onde lors de l'émission varie entre 2,8 et 3,1 mu m. Cette invention a pour but d'accroître le gain de la substance laser, d'abaisser le limite d'excitation lors de l'émission, ainsi que d'élargir l'éventail des matériaux techniques permettant de produire une émission en ayant une longueur d'onde facilement syntonisable dans une plage allant de 2,8 à 3,1 mu m, y compris l'éventail des matériaux utilisés dans des modes de génération et d'amplification d'impulsion courtes. D'une manière concrète, cette invention a également pour but de prévenir la décrépitation du cristal, de réduire la dispersion, d'accroître la stabilité du rayonnement et de réduire l'absorption passive. Cette substance laser possède une structure de grenat et se différencie par le fait qu'elle contient de 0,025 à 2, 95 unités fonctionnelles de holmium, ainsi que l'un au moins des éléments suivants, dans des quantités comprises entre 1 x 10 cm et 5 x 10 cm: Li, Be, B, Na, Ca, Mg, Si, K, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Bi. |
format | Patent |
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Cette invention se rapporte au domaine de l'électronique quantique, notamment à des matériaux employés dans les techniques des lasers, et peut être utilisée dans des lasers à corps solides dont la longueur d'onde lors de l'émission varie entre 2,8 et 3,1 mu m. Cette invention a pour but d'accroître le gain de la substance laser, d'abaisser le limite d'excitation lors de l'émission, ainsi que d'élargir l'éventail des matériaux techniques permettant de produire une émission en ayant une longueur d'onde facilement syntonisable dans une plage allant de 2,8 à 3,1 mu m, y compris l'éventail des matériaux utilisés dans des modes de génération et d'amplification d'impulsion courtes. D'une manière concrète, cette invention a également pour but de prévenir la décrépitation du cristal, de réduire la dispersion, d'accroître la stabilité du rayonnement et de réduire l'absorption passive. Cette substance laser possède une structure de grenat et se différencie par le fait qu'elle contient de 0,025 à 2, 95 unités fonctionnelles de holmium, ainsi que l'un au moins des éléments suivants, dans des quantités comprises entre 1 x 10 cm<-3> et 5 x 10 cm<-3>: Li, Be, B, Na, Ca, Mg, Si, K, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Bi.</description><edition>6</edition><language>eng ; fre ; rus</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; DEVICES USING STIMULATED EMISSION ; ELECTRICITY ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>1997</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970904&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9732375A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970904&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9732375A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH</creatorcontrib><title>LASER MATERIAL</title><description>The invention pertains to quantum electronics, specifically to materials for laser technology, and is intended for use in solid-state lasers with a generation wavelength of between 2.8 and 3.1 mu m. The technical problem addressed by the invention is that of raising the amplification coefficient of the laser material, lowering the stimulation threshold of generation, increasing generation efficiency and widening the available range of industrial generating systems with continuously variable emission wavelengths in the range 2.8-3.1 mu m, including those operating in short-pulse generation and amplification modes. In specific embodiments, the aim of the invention is also to prevent fissures forming in the crystal, reduce scattering, improve emission stability and reduce passive absorption. The laser material has a garnet structure and is characterised in that it contains between 0.025 and 2.95 f. units holmium and in addition at least one of the following elements: Li, Be, B, Na, Ca, Mg, Si, K, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Bi, in quantities of between 1 X 10 cm<-3> and 5 X 10 cm<-3>.
Cette invention se rapporte au domaine de l'électronique quantique, notamment à des matériaux employés dans les techniques des lasers, et peut être utilisée dans des lasers à corps solides dont la longueur d'onde lors de l'émission varie entre 2,8 et 3,1 mu m. Cette invention a pour but d'accroître le gain de la substance laser, d'abaisser le limite d'excitation lors de l'émission, ainsi que d'élargir l'éventail des matériaux techniques permettant de produire une émission en ayant une longueur d'onde facilement syntonisable dans une plage allant de 2,8 à 3,1 mu m, y compris l'éventail des matériaux utilisés dans des modes de génération et d'amplification d'impulsion courtes. D'une manière concrète, cette invention a également pour but de prévenir la décrépitation du cristal, de réduire la dispersion, d'accroître la stabilité du rayonnement et de réduire l'absorption passive. Cette substance laser possède une structure de grenat et se différencie par le fait qu'elle contient de 0,025 à 2, 95 unités fonctionnelles de holmium, ainsi que l'un au moins des éléments suivants, dans des quantités comprises entre 1 x 10 cm<-3> et 5 x 10 cm<-3>: Li, Be, B, Na, Ca, Mg, Si, K, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Bi.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1997</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZODzcQx2DVLwdQxxDfJ09OFhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_pbmxkbG5qaOhsZEKAEAkSscrQ</recordid><startdate>19970904</startdate><enddate>19970904</enddate><creator>UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH</creator><creator>ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH</creator><creator>STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH</creator><creator>ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19970904</creationdate><title>LASER MATERIAL</title><author>UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH ; ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH ; STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH ; ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO9732375A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; rus</language><creationdate>1997</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>UMYSKOV, ALEXANDR FILIPOVICH</au><au>ZAVARTSEV, JURY DMITRIEVICH</au><au>STUDENIKIN, PAVEL ALEXEEVICH</au><au>ZAGUMENNY, ALEXANDR IOSIFOVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>LASER MATERIAL</title><date>1997-09-04</date><risdate>1997</risdate><abstract>The invention pertains to quantum electronics, specifically to materials for laser technology, and is intended for use in solid-state lasers with a generation wavelength of between 2.8 and 3.1 mu m. 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