MONOLITHIC CLASS D AMPLIFIER
A monolithic integrated circuit (1.75) is mounted in a speaker cabinet (1.71) to drive the voice coil (1.74) of the speaker (1.70). The monolithic integrated circuit may be a class D amplifier (1.10), and is at least a half-bridge or full bridge power MOSFET device. Structures and process for formin...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | PEARCE, LAWRENCE, G HEMMENWAY, DONALD, F |
| description | A monolithic integrated circuit (1.75) is mounted in a speaker cabinet (1.71) to drive the voice coil (1.74) of the speaker (1.70). The monolithic integrated circuit may be a class D amplifier (1.10), and is at least a half-bridge or full bridge power MOSFET device. Structures and process for forming the mos switching devices (2.20) of the bridge driver circuits are disclosed. Also disclosed is the N+ buried layer (4.14) of the QVDMOS transistors (4.43) of the bridge circuits.
La présente invention décrit un circuit intégré monolithe (1.75) fixé dans une enceinte acoustique (1.71) pour exciter la bobine mobile (1.74) du haut-parleur (1.70). Le circuit intégré monolithe à semi-conducteurs peut être un amplificateur de classe D (1.10) et est au moins un dispositif à transistor MOSFET de puissance à demi-pont ou à pont intégral. L'invention concerne également des structures et le procédé utilisés pour fabriquer les dispositifs de commutation MOS (2.20) des montages de commande en pont. L'invention décrit aussi la couche enterrée du type N+ (4.14) des transistors MOS quasi verticaux de classe D (4.43) des montages en pont. |
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La présente invention décrit un circuit intégré monolithe (1.75) fixé dans une enceinte acoustique (1.71) pour exciter la bobine mobile (1.74) du haut-parleur (1.70). Le circuit intégré monolithe à semi-conducteurs peut être un amplificateur de classe D (1.10) et est au moins un dispositif à transistor MOSFET de puissance à demi-pont ou à pont intégral. L'invention concerne également des structures et le procédé utilisés pour fabriquer les dispositifs de commutation MOS (2.20) des montages de commande en pont. L'invention décrit aussi la couche enterrée du type N+ (4.14) des transistors MOS quasi verticaux de classe D (4.43) des montages en pont.</description><edition>6</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19961219&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9641412A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19961219&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9641412A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PEARCE, LAWRENCE, G</creatorcontrib><creatorcontrib>HEMMENWAY, DONALD, F</creatorcontrib><title>MONOLITHIC CLASS D AMPLIFIER</title><description>A monolithic integrated circuit (1.75) is mounted in a speaker cabinet (1.71) to drive the voice coil (1.74) of the speaker (1.70). The monolithic integrated circuit may be a class D amplifier (1.10), and is at least a half-bridge or full bridge power MOSFET device. Structures and process for forming the mos switching devices (2.20) of the bridge driver circuits are disclosed. Also disclosed is the N+ buried layer (4.14) of the QVDMOS transistors (4.43) of the bridge circuits.
La présente invention décrit un circuit intégré monolithe (1.75) fixé dans une enceinte acoustique (1.71) pour exciter la bobine mobile (1.74) du haut-parleur (1.70). Le circuit intégré monolithe à semi-conducteurs peut être un amplificateur de classe D (1.10) et est au moins un dispositif à transistor MOSFET de puissance à demi-pont ou à pont intégral. L'invention concerne également des structures et le procédé utilisés pour fabriquer les dispositifs de commutation MOS (2.20) des montages de commande en pont. L'invention décrit aussi la couche enterrée du type N+ (4.14) des transistors MOS quasi verticaux de classe D (4.43) des montages en pont.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJDx9ffz9_EM8fB0VnD2cQwOVnBRcPQN8PF083QN4mFgTUvMKU7lhdLcDApuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-lmYmhiaGRo5GxkQoAQAuWCBu</recordid><startdate>19961219</startdate><enddate>19961219</enddate><creator>PEARCE, LAWRENCE, G</creator><creator>HEMMENWAY, DONALD, F</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19961219</creationdate><title>MONOLITHIC CLASS D AMPLIFIER</title><author>PEARCE, LAWRENCE, G ; HEMMENWAY, DONALD, F</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO9641412A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>1996</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PEARCE, LAWRENCE, G</creatorcontrib><creatorcontrib>HEMMENWAY, DONALD, F</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PEARCE, LAWRENCE, G</au><au>HEMMENWAY, DONALD, F</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MONOLITHIC CLASS D AMPLIFIER</title><date>1996-12-19</date><risdate>1996</risdate><abstract>A monolithic integrated circuit (1.75) is mounted in a speaker cabinet (1.71) to drive the voice coil (1.74) of the speaker (1.70). The monolithic integrated circuit may be a class D amplifier (1.10), and is at least a half-bridge or full bridge power MOSFET device. Structures and process for forming the mos switching devices (2.20) of the bridge driver circuits are disclosed. Also disclosed is the N+ buried layer (4.14) of the QVDMOS transistors (4.43) of the bridge circuits.
La présente invention décrit un circuit intégré monolithe (1.75) fixé dans une enceinte acoustique (1.71) pour exciter la bobine mobile (1.74) du haut-parleur (1.70). Le circuit intégré monolithe à semi-conducteurs peut être un amplificateur de classe D (1.10) et est au moins un dispositif à transistor MOSFET de puissance à demi-pont ou à pont intégral. L'invention concerne également des structures et le procédé utilisés pour fabriquer les dispositifs de commutation MOS (2.20) des montages de commande en pont. L'invention décrit aussi la couche enterrée du type N+ (4.14) des transistors MOS quasi verticaux de classe D (4.43) des montages en pont.</abstract><edition>6</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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