FET CIRCUIT

Es wird eine Schaltungsanordnung mit einem FET (1) vorgeschlagen, bei dem eine Schnellentladung des Gates vorgesehen ist. Zur Schnellentladung wird das Gate niederohmig mit einem Potentialanschluss (13) verbunden. Zwischen dem Gate und dem Potentialanschluss (13) wird ein erster Schalter (11) und ei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHMAUDER, WOLFGANG, HILGENBERG, BERND
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ELECTRICITY PULSE TECHNIQUE
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description	Es wird eine Schaltungsanordnung mit einem FET (1) vorgeschlagen, bei dem eine Schnellentladung des Gates vorgesehen ist. Zur Schnellentladung wird das Gate niederohmig mit einem Potentialanschluss (13) verbunden. Zwischen dem Gate und dem Potentialanschluss (13) wird ein erster Schalter (11) und ein zweiter Schalter (10) angeordnet. Der zweite Schalter (10) wird dabei vom Drainpotential angesteuert. Proposed is a circuit containing an FET (1) with provision for rapid discharge of the gate. This rapid discharge is achieved by connecting the gate by means of a low-impedance connection to a potential terminal (13). Between the gate and the potential terminal (13) are a first switch (11) and a second switch (10), the second switch (10) being controlled by the drain potential. L'invention concerne une circuiterie comportant un transistor à effet de champ où il est prévu une décharge rapide de la grille. A cet effet, la grille est connectée à basse impédance avec un raccordement de potentiel (13). Un premier commutateur (11) et un second commutateur (10) sont montés entre la grille et le raccordement de potentiel (13). Le second commutateur (10) est excité par le potentiel du drain.
format	Patent
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Zwischen dem Gate und dem Potentialanschluss (13) wird ein erster Schalter (11) und ein zweiter Schalter (10) angeordnet. Der zweite Schalter (10) wird dabei vom Drainpotential angesteuert. Proposed is a circuit containing an FET (1) with provision for rapid discharge of the gate. This rapid discharge is achieved by connecting the gate by means of a low-impedance connection to a potential terminal (13). Between the gate and the potential terminal (13) are a first switch (11) and a second switch (10), the second switch (10) being controlled by the drain potential. L'invention concerne une circuiterie comportant un transistor à effet de champ où il est prévu une décharge rapide de la grille. A cet effet, la grille est connectée à basse impédance avec un raccordement de potentiel (13). Un premier commutateur (11) et un second commutateur (10) sont montés entre la grille et le raccordement de potentiel (13). 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Zur Schnellentladung wird das Gate niederohmig mit einem Potentialanschluss (13) verbunden. Zwischen dem Gate und dem Potentialanschluss (13) wird ein erster Schalter (11) und ein zweiter Schalter (10) angeordnet. Der zweite Schalter (10) wird dabei vom Drainpotential angesteuert. Proposed is a circuit containing an FET (1) with provision for rapid discharge of the gate. This rapid discharge is achieved by connecting the gate by means of a low-impedance connection to a potential terminal (13). Between the gate and the potential terminal (13) are a first switch (11) and a second switch (10), the second switch (10) being controlled by the drain potential. L'invention concerne une circuiterie comportant un transistor à effet de champ où il est prévu une décharge rapide de la grille. A cet effet, la grille est connectée à basse impédance avec un raccordement de potentiel (13). 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