USE OF DIFFRACTED LIGHT FROM LATENT IMAGES IN PHOTORESIST FOR EXPOSURE CONTROL

In microelectronics manufacturing, an arrangement for monitoring and control of exposure of an undeveloped photosensitive layer on a structure susceptible to variations in optical properties in order to attain the desired critical dimension for the pattern to be developed in the photosensitive layer. This is done by ascertaining the intensities for one or more respective orders of diffracted power for an incident beam of radiation corresponding to the desired critical dimension for the photosensitive layer as a function of exposure time and optical properties of the structure, illuminating the photosensitive layer (43) with a beam of radiation (45) of one or more frequencies to which the photosensitive layer is not exposure-sensitive, and monitoring (51a) the intensities of the orders of diffracted radiation (51) due to said illumination including at least the first order of diffracted radiation thereof, such that when said predetermined intensities for the diffracted orders are reached during said illumination of photosensitive layer, it is known that a pattern having at least approximately the desired critical dimension can be developed on the photosensitive layer. Dispositif permettant, dans le contexte de la production de micro électronique, d'observer et de contrôler l'exposition d'une couche photosensible non développée sur une structure passible de variations quant à ses propriétés optiques, de manière à obtenir la dimension critique désirée de l'image devant être développée dans la couche photosensible. Ce résultat est obtenu en s'assurant que les intensités d'un ou plusieurs ordre(s) de puissance diffractés pour un rayon incident de radiation correspondent à la dimension critique souhaitée pour la couche photosensible, comme fonction du temps d'exposition et des propriétés optiques de la structure, en exposant la couche photosensible (43) à un rayon (45) à une ou plusieurs des fréquences auxquelles la couche photosensible n'est pas sensible, et à observer (51a) les intensités des ordres de rayonnement diffractés (51) résultant de cette exposition, notamment au moins le premier ordre de rayonnement diffracté en résultant, de sorte que, lorsque lesdites intensités prédéterminées des ordres diffractés sont atteintes au cours de ladite exposition de la couche photosensible, il se révèle qu'une image présentant au moins pratiquement la dimension critique désirée peut être développée sur la couche photosensible.