VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP

L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET vari...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: MAOZ, BARAK
Format: Patent
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator MAOZ, BARAK
description L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET variable comprend un réseau de FET comprenant une pluralité de segments (Qn) de FET dont chacun a une largeur de grille prédéterminée, ainsi qu'un réseau diviseur de tension comportant une pluralité de résistances (Rn) fixes couplées aux grilles de la pluralité de segments de FET, afin de fournir une tension de grille prédéterminée différente à chacun des segments de FET. On choisit la largeur de chacun des segments de FET ainsi que la résistance de chacune des résistances fixes pour établir une relation prédéterminée entre la tension de commande et la résistance de canal de la résistance à FET variable en tension, afin d'établir une relation présélectionnée entre la tension de commande appliquée à la première dérivation et le rapport d'atténuation de l'atténateur.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO8911166A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO8911166A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO8911166A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZEgJcwzydHTycVVwDAlx9Qt1DPEPUvBwDPP0c1cI8_cJcXR3VYArcXMNUQhyDfYMBikK9wzxUHD28A929YMKOvo5u-rCNAW5-jiGePr7BXt4BvAwsKYl5hSn8kJpbgaQUc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f4WloaGhmZmjobGRCgBACxDNM8</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP</title><source>esp@cenet</source><creator>MAOZ, BARAK</creator><creatorcontrib>MAOZ, BARAK</creatorcontrib><description>L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET variable comprend un réseau de FET comprenant une pluralité de segments (Qn) de FET dont chacun a une largeur de grille prédéterminée, ainsi qu'un réseau diviseur de tension comportant une pluralité de résistances (Rn) fixes couplées aux grilles de la pluralité de segments de FET, afin de fournir une tension de grille prédéterminée différente à chacun des segments de FET. On choisit la largeur de chacun des segments de FET ainsi que la résistance de chacune des résistances fixes pour établir une relation prédéterminée entre la tension de commande et la résistance de canal de la résistance à FET variable en tension, afin d'établir une relation présélectionnée entre la tension de commande appliquée à la première dérivation et le rapport d'atténuation de l'atténateur.</description><edition>4</edition><language>eng</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; ELECTRICITY ; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS ; RESONATORS ; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE ; WAVEGUIDES</subject><creationdate>1989</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19891116&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=8911166A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19891116&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=8911166A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MAOZ, BARAK</creatorcontrib><title>VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP</title><description>L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET variable comprend un réseau de FET comprenant une pluralité de segments (Qn) de FET dont chacun a une largeur de grille prédéterminée, ainsi qu'un réseau diviseur de tension comportant une pluralité de résistances (Rn) fixes couplées aux grilles de la pluralité de segments de FET, afin de fournir une tension de grille prédéterminée différente à chacun des segments de FET. On choisit la largeur de chacun des segments de FET ainsi que la résistance de chacune des résistances fixes pour établir une relation prédéterminée entre la tension de commande et la résistance de canal de la résistance à FET variable en tension, afin d'établir une relation présélectionnée entre la tension de commande appliquée à la première dérivation et le rapport d'atténuation de l'atténateur.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS</subject><subject>RESONATORS</subject><subject>RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE</subject><subject>WAVEGUIDES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1989</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZEgJcwzydHTycVVwDAlx9Qt1DPEPUvBwDPP0c1cI8_cJcXR3VYArcXMNUQhyDfYMBikK9wzxUHD28A929YMKOvo5u-rCNAW5-jiGePr7BXt4BvAwsKYl5hSn8kJpbgaQUc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f4WloaGhmZmjobGRCgBACxDNM8</recordid><startdate>19891116</startdate><enddate>19891116</enddate><creator>MAOZ, BARAK</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19891116</creationdate><title>VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP</title><author>MAOZ, BARAK</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO8911166A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng</language><creationdate>1989</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS</topic><topic>RESONATORS</topic><topic>RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE</topic><topic>WAVEGUIDES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MAOZ, BARAK</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MAOZ, BARAK</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP</title><date>1989-11-16</date><risdate>1989</risdate><abstract>L'invention concerne un atténuateur variable (1) ayant des première (2) et seconde (5) dérivations configurées en T ponté, en topologies T ou PI, chacune des dérivations comportant au moins une résistance (10) à FET (transistor à effet de champ) variable en tension. Ladite résistance à FET variable comprend un réseau de FET comprenant une pluralité de segments (Qn) de FET dont chacun a une largeur de grille prédéterminée, ainsi qu'un réseau diviseur de tension comportant une pluralité de résistances (Rn) fixes couplées aux grilles de la pluralité de segments de FET, afin de fournir une tension de grille prédéterminée différente à chacun des segments de FET. On choisit la largeur de chacun des segments de FET ainsi que la résistance de chacune des résistances fixes pour établir une relation prédéterminée entre la tension de commande et la résistance de canal de la résistance à FET variable en tension, afin d'établir une relation présélectionnée entre la tension de commande appliquée à la première dérivation et le rapport d'atténuation de l'atténateur.</abstract><edition>4</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng
recordid cdi_epo_espacenet_WO8911166A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS
RESONATORS
RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
WAVEGUIDES
title VARIABLE ATTENUATOR HAVING VOLTAGE VARIABLE FET RESISTOR WITH CHOSEN RESISTANCE-VOLTAGE RELATIONSHIP
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T12%3A25%3A00IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=MAOZ,%20BARAK&rft.date=1989-11-16&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO8911166A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true