PROCEDURE FOR FABRICATING DEVICES INVOLVING DRY ETCHING

Procedure for fabricating devices, which involves dry etching. The presence of material deposited on the sidewall during device fabrication utilizing plasma-effected etching of semiconductor materials has significant consequences in the properties of these devices. It has been found by the present inventors that such depositions lead to a sidewall slope that, among other things, in turn produces linewidth loss. Additionally, the presence of a sloped masking material, e.g., a photoresist or sidewall deposit, produces further undesirable results. The solution is to adjust the processing so as to avoid these detrimental effects. La présence de matière déposée sur la paroi latérale pendant la fabrication du dispositif par l'utilisation d'une gravure au plasma de matériaux semi-conducteurs a des conséquences importantes pour les caractéristiques des dispositifs. On a remarqué que ces dépôts tendent à produire une pente sur la paroi latérale, laquelle pente provoque, entre autres, une perte de largeur de ligne. En outre, la présence d'un matériau de masquage en pente, par exemple d'une photoréserve ou d'un dépôt sur la paroi latérale, produit d'autres résultats indésirables. La solution consiste à ajuster le traitement de manière à éviter ces effets nuisibles.