ROW ACTIVATION INDICATION REGISTERS

Methods, systems, and devices related to row activation indication registers are disclosed. A first register can be coupled to a memory device and configured to store an indication of a first number of bit locations of a row address corresponding to the memory device to use in association with optimization of a row precharge time (tRP) of the memory device. A second register can be coupled to the memory device and configured to store an indication of a second number of bit locations of the row address to use in association with optimization of a row address to column address delay (tRCD) of the memory device. Sont divulgués des procédés, des systèmes, et des dispositifs associés à des registres d'indication d'activation de rangée. Un premier registre peut être couplé à un dispositif de mémoire et configuré pour stocker une indication d'un premier nombre d'emplacements de bits d'une adresse de rangée correspondant au dispositif de mémoire à utiliser en association avec l'optimisation d'un temps de précharge de rangée (tRP) du dispositif de mémoire. Un second registre peut être couplé au dispositif de mémoire et configuré pour stocker une indication d'un second nombre d'emplacements de bits de l'adresse de rangée à utiliser en association avec l'optimisation d'un délai d'adresse de rangée à adresse de colonne (tRCD) du dispositif de mémoire.