SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device 1 comprises: a substrate 10; N first electrodes 22 provided above the substrate 10 (where N is an integer of 2 or more); a first dielectric film 23 provided above the N first electrodes 22; M second electrodes 24 provided above the N first electrodes 22 with the first dielectr...
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| creator | HARADA, Masatomi |
| description | A semiconductor device 1 comprises: a substrate 10; N first electrodes 22 provided above the substrate 10 (where N is an integer of 2 or more); a first dielectric film 23 provided above the N first electrodes 22; M second electrodes 24 provided above the N first electrodes 22 with the first dielectric film 23 therebetween (where M is an integer of 3 or more and satisfies M>N); a first protective layer 26 covering the N first electrodes 22 and the M second electrodes 24; three or more external electrodes 27 penetrating the first protective layer 26; and a second protective layer 29 covering an external electrode 27 excluding two of the external electrodes 27 among the three or more of the external electrodes 27. At least one of the second electrodes 24 is disposed above each of the first electrodes 22. M capacitor elements CAP1, CAP2, and CAP3 are constituted by the N first electrodes 22, the first dielectric film 23, and the M second electrodes 24. M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3 are electrically connected in series. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP1 and CAP2 having two second electrodes 24A and 24B disposed on the same first electrode 22A are electrically connected in series. Two of the external electrodes 27 that are not covered with the second protective layer 29 constitute two terminal electrodes 27A and 27B which are electrically connected to the two of the capacitor elements CAP1 and CAP3, respectively, among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP2 and CAP3 that have two of the second electrodes 24B and 24C disposed above different first electrodes 22A and 22B are electrically connected in series by an external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B. The external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B is covered with the second protective layer 29.
Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend : un substrat 10 ; N premières électrodes 22 disposées au-dessus du substrat 10 (N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2) ; un premier film diélectrique 23 disposé au-dessus des N premières électrodes 22 ; M secondes électrodes 24 disposées au-dessus des N premières électrodes 22, le premier film diélectrique 23 se trouvant entre celles-ci (M étant un nombre entier supérieur ou égal à 3 et satisfaisant à M > N) ; une premièr |
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Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend : un substrat 10 ; N premières électrodes 22 disposées au-dessus du substrat 10 (N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2) ; un premier film diélectrique 23 disposé au-dessus des N premières électrodes 22 ; M secondes électrodes 24 disposées au-dessus des N premières électrodes 22, le premier film diélectrique 23 se trouvant entre celles-ci (M étant un nombre entier supérieur ou égal à 3 et satisfaisant à M > N) ; une première couche de protection 26 recouvrant les N premières électrodes 22 et les M secondes électrodes 24 ; trois électrodes externes 27 ou plus pénétrant dans la première couche de protection 26 ; et une seconde couche de protection 29 recouvrant une électrode externe 27 à l'exclusion de deux des électrodes externes 27 parmi les trois électrodes externes 27 ou plus. Au moins l'une des secondes électrodes 24 est disposée au-dessus de chacune des premières électrodes 22. M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont constitués des N premières électrodes 22, du premier film diélectrique 23 et des M secondes électrodes 24. Les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont connectés électriquement en série. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP2 comprenant deux secondes électrodes 24A et 24B disposées sur la même première électrode 22A sont électriquement connectés en série. Deux des électrodes externes 27 qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche de protection 29 constituent deux électrodes de borne 27A et 27B qui sont électriquement connectées aux deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP3, respectivement, parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP2 et CAP3 qui comprennent deux des secondes électrodes 24B et 24C disposées au-dessus de différentes premières électrodes 22A et 22B sont électriquement connectés en série par une électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B. L'électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B est recouverte par la seconde couche de protection 29.
基板１０と、基板１０上に設けられたＮ個（ただし、Ｎは２以上の整数）の第１の電極２２と、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられた第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３を介して、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられたＭ個（ただし、ＭはＭ＞Ｎを満たす３以上の整数）の第２の電極２４と、Ｎ個の第１の電極２２及びＭ個の第２の電極２４を覆う第１の保護層２６と、第１の保護層２６を貫通する３個以上の外部電極２７と、３個以上の外部電極２７のうち、２つの外部電極２７を除く外部電極２７を覆う第２の保護層２９と、を備え、各第１の電極２２上には少なくとも１つの第２の電極２４が配置され、Ｎ個の第１の電極２２と、第１の誘電体膜２３と、Ｍ個の第２の電極２４とから、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３が構成されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、電気的に直列接続されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、同じ第１の電極２２Ａ上に配置された２つの第２の電極２４Ａ及び２４Ｂを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ２は、その第１の電極２２Ａで電気的に直列接続されており、第２の保護層２９で覆われていない２つの外部電極２７は、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうちの２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ３にそれぞれ電気的に接続された２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成し、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、異なる第１の電極２２Ａ及び２２Ｂ上に配置された２つの第２の電極２４Ｂ及び２４Ｃを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃで電気的に直列接続されており、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃは、第２の保護層２９で覆われている、半導体装置１。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CAPACITORS ; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241212&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024252870A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241212&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024252870A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HARADA, Masatomi</creatorcontrib><title>SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>A semiconductor device 1 comprises: a substrate 10; N first electrodes 22 provided above the substrate 10 (where N is an integer of 2 or more); a first dielectric film 23 provided above the N first electrodes 22; M second electrodes 24 provided above the N first electrodes 22 with the first dielectric film 23 therebetween (where M is an integer of 3 or more and satisfies M>N); a first protective layer 26 covering the N first electrodes 22 and the M second electrodes 24; three or more external electrodes 27 penetrating the first protective layer 26; and a second protective layer 29 covering an external electrode 27 excluding two of the external electrodes 27 among the three or more of the external electrodes 27. At least one of the second electrodes 24 is disposed above each of the first electrodes 22. M capacitor elements CAP1, CAP2, and CAP3 are constituted by the N first electrodes 22, the first dielectric film 23, and the M second electrodes 24. M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3 are electrically connected in series. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP1 and CAP2 having two second electrodes 24A and 24B disposed on the same first electrode 22A are electrically connected in series. Two of the external electrodes 27 that are not covered with the second protective layer 29 constitute two terminal electrodes 27A and 27B which are electrically connected to the two of the capacitor elements CAP1 and CAP3, respectively, among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP2 and CAP3 that have two of the second electrodes 24B and 24C disposed above different first electrodes 22A and 22B are electrically connected in series by an external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B. The external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B is covered with the second protective layer 29.
Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend : un substrat 10 ; N premières électrodes 22 disposées au-dessus du substrat 10 (N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2) ; un premier film diélectrique 23 disposé au-dessus des N premières électrodes 22 ; M secondes électrodes 24 disposées au-dessus des N premières électrodes 22, le premier film diélectrique 23 se trouvant entre celles-ci (M étant un nombre entier supérieur ou égal à 3 et satisfaisant à M > N) ; une première couche de protection 26 recouvrant les N premières électrodes 22 et les M secondes électrodes 24 ; trois électrodes externes 27 ou plus pénétrant dans la première couche de protection 26 ; et une seconde couche de protection 29 recouvrant une électrode externe 27 à l'exclusion de deux des électrodes externes 27 parmi les trois électrodes externes 27 ou plus. Au moins l'une des secondes électrodes 24 est disposée au-dessus de chacune des premières électrodes 22. M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont constitués des N premières électrodes 22, du premier film diélectrique 23 et des M secondes électrodes 24. Les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont connectés électriquement en série. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP2 comprenant deux secondes électrodes 24A et 24B disposées sur la même première électrode 22A sont électriquement connectés en série. Deux des électrodes externes 27 qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche de protection 29 constituent deux électrodes de borne 27A et 27B qui sont électriquement connectées aux deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP3, respectivement, parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP2 et CAP3 qui comprennent deux des secondes électrodes 24B et 24C disposées au-dessus de différentes premières électrodes 22A et 22B sont électriquement connectés en série par une électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B. L'électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B est recouverte par la seconde couche de protection 29.
基板１０と、基板１０上に設けられたＮ個（ただし、Ｎは２以上の整数）の第１の電極２２と、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられた第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３を介して、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられたＭ個（ただし、ＭはＭ＞Ｎを満たす３以上の整数）の第２の電極２４と、Ｎ個の第１の電極２２及びＭ個の第２の電極２４を覆う第１の保護層２６と、第１の保護層２６を貫通する３個以上の外部電極２７と、３個以上の外部電極２７のうち、２つの外部電極２７を除く外部電極２７を覆う第２の保護層２９と、を備え、各第１の電極２２上には少なくとも１つの第２の電極２４が配置され、Ｎ個の第１の電極２２と、第１の誘電体膜２３と、Ｍ個の第２の電極２４とから、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３が構成されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、電気的に直列接続されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、同じ第１の電極２２Ａ上に配置された２つの第２の電極２４Ａ及び２４Ｂを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ２は、その第１の電極２２Ａで電気的に直列接続されており、第２の保護層２９で覆われていない２つの外部電極２７は、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうちの２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ３にそれぞれ電気的に接続された２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成し、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、異なる第１の電極２２Ａ及び２２Ｂ上に配置された２つの第２の電極２４Ｂ及び２４Ｃを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃで電気的に直列接続されており、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃは、第２の保護層２９で覆われている、半導体装置１。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CAPACITORS</subject><subject>CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBAJdvX1dPb3cwl1DvEPUnBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRiZGpkYW5gaOhsbEqQIA_Hgfmg</recordid><startdate>20241212</startdate><enddate>20241212</enddate><creator>HARADA, Masatomi</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241212</creationdate><title>SEMICONDUCTOR DEVICE</title><author>HARADA, Masatomi</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024252870A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CAPACITORS</topic><topic>CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HARADA, Masatomi</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HARADA, Masatomi</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SEMICONDUCTOR DEVICE</title><date>2024-12-12</date><risdate>2024</risdate><abstract>A semiconductor device 1 comprises: a substrate 10; N first electrodes 22 provided above the substrate 10 (where N is an integer of 2 or more); a first dielectric film 23 provided above the N first electrodes 22; M second electrodes 24 provided above the N first electrodes 22 with the first dielectric film 23 therebetween (where M is an integer of 3 or more and satisfies M>N); a first protective layer 26 covering the N first electrodes 22 and the M second electrodes 24; three or more external electrodes 27 penetrating the first protective layer 26; and a second protective layer 29 covering an external electrode 27 excluding two of the external electrodes 27 among the three or more of the external electrodes 27. At least one of the second electrodes 24 is disposed above each of the first electrodes 22. M capacitor elements CAP1, CAP2, and CAP3 are constituted by the N first electrodes 22, the first dielectric film 23, and the M second electrodes 24. M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3 are electrically connected in series. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP1 and CAP2 having two second electrodes 24A and 24B disposed on the same first electrode 22A are electrically connected in series. Two of the external electrodes 27 that are not covered with the second protective layer 29 constitute two terminal electrodes 27A and 27B which are electrically connected to the two of the capacitor elements CAP1 and CAP3, respectively, among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3. Among the M capacitor elements CAP1, CAP2 and CAP3, two of the capacitor elements CAP2 and CAP3 that have two of the second electrodes 24B and 24C disposed above different first electrodes 22A and 22B are electrically connected in series by an external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B. The external electrode 27C which does not constitute the two terminal electrodes 27A and 27B is covered with the second protective layer 29.
Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend : un substrat 10 ; N premières électrodes 22 disposées au-dessus du substrat 10 (N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2) ; un premier film diélectrique 23 disposé au-dessus des N premières électrodes 22 ; M secondes électrodes 24 disposées au-dessus des N premières électrodes 22, le premier film diélectrique 23 se trouvant entre celles-ci (M étant un nombre entier supérieur ou égal à 3 et satisfaisant à M > N) ; une première couche de protection 26 recouvrant les N premières électrodes 22 et les M secondes électrodes 24 ; trois électrodes externes 27 ou plus pénétrant dans la première couche de protection 26 ; et une seconde couche de protection 29 recouvrant une électrode externe 27 à l'exclusion de deux des électrodes externes 27 parmi les trois électrodes externes 27 ou plus. Au moins l'une des secondes électrodes 24 est disposée au-dessus de chacune des premières électrodes 22. M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont constitués des N premières électrodes 22, du premier film diélectrique 23 et des M secondes électrodes 24. Les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3 sont connectés électriquement en série. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP2 comprenant deux secondes électrodes 24A et 24B disposées sur la même première électrode 22A sont électriquement connectés en série. Deux des électrodes externes 27 qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche de protection 29 constituent deux électrodes de borne 27A et 27B qui sont électriquement connectées aux deux des éléments de condensateur CAP1 et CAP3, respectivement, parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3. Parmi les M éléments de condensateur CAP1, CAP2 et CAP3, deux des éléments de condensateur CAP2 et CAP3 qui comprennent deux des secondes électrodes 24B et 24C disposées au-dessus de différentes premières électrodes 22A et 22B sont électriquement connectés en série par une électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B. L'électrode externe 27C qui ne constitue pas les deux électrodes de borne 27A et 27B est recouverte par la seconde couche de protection 29.
基板１０と、基板１０上に設けられたＮ個（ただし、Ｎは２以上の整数）の第１の電極２２と、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられた第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３を介して、Ｎ個の第１の電極２２上に設けられたＭ個（ただし、ＭはＭ＞Ｎを満たす３以上の整数）の第２の電極２４と、Ｎ個の第１の電極２２及びＭ個の第２の電極２４を覆う第１の保護層２６と、第１の保護層２６を貫通する３個以上の外部電極２７と、３個以上の外部電極２７のうち、２つの外部電極２７を除く外部電極２７を覆う第２の保護層２９と、を備え、各第１の電極２２上には少なくとも１つの第２の電極２４が配置され、Ｎ個の第１の電極２２と、第１の誘電体膜２３と、Ｍ個の第２の電極２４とから、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３が構成されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、電気的に直列接続されており、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、同じ第１の電極２２Ａ上に配置された２つの第２の電極２４Ａ及び２４Ｂを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ２は、その第１の電極２２Ａで電気的に直列接続されており、第２の保護層２９で覆われていない２つの外部電極２７は、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうちの２つのキャパシタ素子ＣＡＰ１及びＣＡＰ３にそれぞれ電気的に接続された２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成し、Ｍ個のキャパシタ素子ＣＡＰ１、ＣＡＰ２及びＣＡＰ３のうち、異なる第１の電極２２Ａ及び２２Ｂ上に配置された２つの第２の電極２４Ｂ及び２４Ｃを有する２つのキャパシタ素子ＣＡＰ２及びＣＡＰ３は、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃで電気的に直列接続されており、２つの端子電極２７Ａ及び２７Ｂを構成しない外部電極２７Ｃは、第２の保護層２９で覆われている、半導体装置１。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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