PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS
[Problem] To attain a high resolution and improve the image quality of a captured image. [Solution] This photodetector is provided with a shared second pixel circuit shared for every two or more first pixel circuits. The second pixel circuit is provided with: a first capacitive element that holds a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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container_end_page | |
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container_issue | |
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container_title | |
container_volume | |
creator | OSAWA Naoyuki KUMAGAI Yoshimichi BANDO Masashi AOTA Tomoya ABE Takashi AKIYAMA Shunya |
description | [Problem] To attain a high resolution and improve the image quality of a captured image. [Solution] This photodetector is provided with a shared second pixel circuit shared for every two or more first pixel circuits. The second pixel circuit is provided with: a first capacitive element that holds a voltage signal output from a corresponding pixel in a state in which the electric charge in a first floating diffusion region of the pixel is initialized; a second capacitive element that holds a voltage signal output from the corresponding pixel in a state in which the accumulated charge in a photoelectric conversion element has been transferred to the first floating diffusion region of the pixel; a first transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the first capacitance element to a second floating diffusion region shared by the two or more first pixel circuits; and a second transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the second capacitance element to the second floating diffusion region, wherein in the second pixel circuit, two or more first transistors and two or more second transistors included in the two or more first pixel circuits are arranged in point symmetry or line symmetry around a third transistor.
Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir une résolution élevée et d'améliorer la qualité d'image d'une image capturée. La solution selon l'invention concerne un photodétecteur avec un circuit de second pixel partagé pour chaque deux ou plusieurs circuits de premier pixel. Le second circuit de pixel est pourvu de : un premier élément capacitif qui retient un signal de tension émis par un pixel correspondant dans un état où la charge électrique dans une première région de diffusion flottante du pixel est initialisée ; un second élément capacitif qui retient un signal de tension émis par le pixel correspondant dans un état où la charge accumulée dans un élément de conversion photoélectrique a été transférée à la première région de diffusion flottante du pixel ; un premier transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le premier élément capacitif vers une deuxième région de diffusion flottante partagée par les deux premiers circuits de pixels ou plus ; et un deuxième transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le deuxième élément capacitif vers la deuxième région de diffusion flottante, sachant que dans le deuxi |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2024203524A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2024203524A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2024203524A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFAL8PAP8XdxDXF1DvEPUnD0c1Fw9QGyg_z9PJ0VHAMCHIMcQ0KDeRhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGRiZGBsamRiaOhMXGqAGZtJJ0</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS</title><source>esp@cenet</source><creator>OSAWA Naoyuki ; KUMAGAI Yoshimichi ; BANDO Masashi ; AOTA Tomoya ; ABE Takashi ; AKIYAMA Shunya</creator><creatorcontrib>OSAWA Naoyuki ; KUMAGAI Yoshimichi ; BANDO Masashi ; AOTA Tomoya ; ABE Takashi ; AKIYAMA Shunya</creatorcontrib><description>[Problem] To attain a high resolution and improve the image quality of a captured image. [Solution] This photodetector is provided with a shared second pixel circuit shared for every two or more first pixel circuits. The second pixel circuit is provided with: a first capacitive element that holds a voltage signal output from a corresponding pixel in a state in which the electric charge in a first floating diffusion region of the pixel is initialized; a second capacitive element that holds a voltage signal output from the corresponding pixel in a state in which the accumulated charge in a photoelectric conversion element has been transferred to the first floating diffusion region of the pixel; a first transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the first capacitance element to a second floating diffusion region shared by the two or more first pixel circuits; and a second transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the second capacitance element to the second floating diffusion region, wherein in the second pixel circuit, two or more first transistors and two or more second transistors included in the two or more first pixel circuits are arranged in point symmetry or line symmetry around a third transistor.
Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir une résolution élevée et d'améliorer la qualité d'image d'une image capturée. La solution selon l'invention concerne un photodétecteur avec un circuit de second pixel partagé pour chaque deux ou plusieurs circuits de premier pixel. Le second circuit de pixel est pourvu de : un premier élément capacitif qui retient un signal de tension émis par un pixel correspondant dans un état où la charge électrique dans une première région de diffusion flottante du pixel est initialisée ; un second élément capacitif qui retient un signal de tension émis par le pixel correspondant dans un état où la charge accumulée dans un élément de conversion photoélectrique a été transférée à la première région de diffusion flottante du pixel ; un premier transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le premier élément capacitif vers une deuxième région de diffusion flottante partagée par les deux premiers circuits de pixels ou plus ; et un deuxième transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le deuxième élément capacitif vers la deuxième région de diffusion flottante, sachant que dans le deuxième circuit de pixels, deux premiers transistors ou plus et deux deuxièmes transistors ou plus inclus dans les deux premiers circuits de pixels ou plus sont disposés en symétrie ponctuelle ou en symétrie linéaire autour d'un troisième transistor.
[課題]高解像化が可能で、かつ撮像画像の画質を向上させる。 [解決手段]光検出装置は、2以上の第1画素回路ごとに共有される第2画素回路を備え、第2画素回路は、対応する画素の第1浮遊拡散領域の電荷を初期化した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第1容量素子と、対応する画素の第1浮遊拡散領域に光電変換素子の蓄積電荷を転送した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第2容量素子と、第1容量素子に保持された電荷を、2以上の第1画素回路で共有される第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第1トランジスタと、第2容量素子に保持された電荷を、第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第2トランジスタと、を有し、第2画素回路は、第3トランジスタの周囲に、2以上の第1画素回路に含まれる2以上の第1トランジスタ及び2以上の第2トランジスタが点対称又は線対称に配置される。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241003&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024203524A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241003&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024203524A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>OSAWA Naoyuki</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMAGAI Yoshimichi</creatorcontrib><creatorcontrib>BANDO Masashi</creatorcontrib><creatorcontrib>AOTA Tomoya</creatorcontrib><creatorcontrib>ABE Takashi</creatorcontrib><creatorcontrib>AKIYAMA Shunya</creatorcontrib><title>PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS</title><description>[Problem] To attain a high resolution and improve the image quality of a captured image. [Solution] This photodetector is provided with a shared second pixel circuit shared for every two or more first pixel circuits. The second pixel circuit is provided with: a first capacitive element that holds a voltage signal output from a corresponding pixel in a state in which the electric charge in a first floating diffusion region of the pixel is initialized; a second capacitive element that holds a voltage signal output from the corresponding pixel in a state in which the accumulated charge in a photoelectric conversion element has been transferred to the first floating diffusion region of the pixel; a first transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the first capacitance element to a second floating diffusion region shared by the two or more first pixel circuits; and a second transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the second capacitance element to the second floating diffusion region, wherein in the second pixel circuit, two or more first transistors and two or more second transistors included in the two or more first pixel circuits are arranged in point symmetry or line symmetry around a third transistor.
Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir une résolution élevée et d'améliorer la qualité d'image d'une image capturée. La solution selon l'invention concerne un photodétecteur avec un circuit de second pixel partagé pour chaque deux ou plusieurs circuits de premier pixel. Le second circuit de pixel est pourvu de : un premier élément capacitif qui retient un signal de tension émis par un pixel correspondant dans un état où la charge électrique dans une première région de diffusion flottante du pixel est initialisée ; un second élément capacitif qui retient un signal de tension émis par le pixel correspondant dans un état où la charge accumulée dans un élément de conversion photoélectrique a été transférée à la première région de diffusion flottante du pixel ; un premier transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le premier élément capacitif vers une deuxième région de diffusion flottante partagée par les deux premiers circuits de pixels ou plus ; et un deuxième transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le deuxième élément capacitif vers la deuxième région de diffusion flottante, sachant que dans le deuxième circuit de pixels, deux premiers transistors ou plus et deux deuxièmes transistors ou plus inclus dans les deux premiers circuits de pixels ou plus sont disposés en symétrie ponctuelle ou en symétrie linéaire autour d'un troisième transistor.
[課題]高解像化が可能で、かつ撮像画像の画質を向上させる。 [解決手段]光検出装置は、2以上の第1画素回路ごとに共有される第2画素回路を備え、第2画素回路は、対応する画素の第1浮遊拡散領域の電荷を初期化した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第1容量素子と、対応する画素の第1浮遊拡散領域に光電変換素子の蓄積電荷を転送した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第2容量素子と、第1容量素子に保持された電荷を、2以上の第1画素回路で共有される第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第1トランジスタと、第2容量素子に保持された電荷を、第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第2トランジスタと、を有し、第2画素回路は、第3トランジスタの周囲に、2以上の第1画素回路に含まれる2以上の第1トランジスタ及び2以上の第2トランジスタが点対称又は線対称に配置される。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFAL8PAP8XdxDXF1DvEPUnD0c1Fw9QGyg_z9PJ0VHAMCHIMcQ0KDeRhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGRiZGBsamRiaOhMXGqAGZtJJ0</recordid><startdate>20241003</startdate><enddate>20241003</enddate><creator>OSAWA Naoyuki</creator><creator>KUMAGAI Yoshimichi</creator><creator>BANDO Masashi</creator><creator>AOTA Tomoya</creator><creator>ABE Takashi</creator><creator>AKIYAMA Shunya</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241003</creationdate><title>PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS</title><author>OSAWA Naoyuki ; KUMAGAI Yoshimichi ; BANDO Masashi ; AOTA Tomoya ; ABE Takashi ; AKIYAMA Shunya</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024203524A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>OSAWA Naoyuki</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMAGAI Yoshimichi</creatorcontrib><creatorcontrib>BANDO Masashi</creatorcontrib><creatorcontrib>AOTA Tomoya</creatorcontrib><creatorcontrib>ABE Takashi</creatorcontrib><creatorcontrib>AKIYAMA Shunya</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>OSAWA Naoyuki</au><au>KUMAGAI Yoshimichi</au><au>BANDO Masashi</au><au>AOTA Tomoya</au><au>ABE Takashi</au><au>AKIYAMA Shunya</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS</title><date>2024-10-03</date><risdate>2024</risdate><abstract>[Problem] To attain a high resolution and improve the image quality of a captured image. [Solution] This photodetector is provided with a shared second pixel circuit shared for every two or more first pixel circuits. The second pixel circuit is provided with: a first capacitive element that holds a voltage signal output from a corresponding pixel in a state in which the electric charge in a first floating diffusion region of the pixel is initialized; a second capacitive element that holds a voltage signal output from the corresponding pixel in a state in which the accumulated charge in a photoelectric conversion element has been transferred to the first floating diffusion region of the pixel; a first transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the first capacitance element to a second floating diffusion region shared by the two or more first pixel circuits; and a second transistor that switches between whether or not to transfer the charge held in the second capacitance element to the second floating diffusion region, wherein in the second pixel circuit, two or more first transistors and two or more second transistors included in the two or more first pixel circuits are arranged in point symmetry or line symmetry around a third transistor.
Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir une résolution élevée et d'améliorer la qualité d'image d'une image capturée. La solution selon l'invention concerne un photodétecteur avec un circuit de second pixel partagé pour chaque deux ou plusieurs circuits de premier pixel. Le second circuit de pixel est pourvu de : un premier élément capacitif qui retient un signal de tension émis par un pixel correspondant dans un état où la charge électrique dans une première région de diffusion flottante du pixel est initialisée ; un second élément capacitif qui retient un signal de tension émis par le pixel correspondant dans un état où la charge accumulée dans un élément de conversion photoélectrique a été transférée à la première région de diffusion flottante du pixel ; un premier transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le premier élément capacitif vers une deuxième région de diffusion flottante partagée par les deux premiers circuits de pixels ou plus ; et un deuxième transistor qui commute entre le transfert ou non de la charge contenue dans le deuxième élément capacitif vers la deuxième région de diffusion flottante, sachant que dans le deuxième circuit de pixels, deux premiers transistors ou plus et deux deuxièmes transistors ou plus inclus dans les deux premiers circuits de pixels ou plus sont disposés en symétrie ponctuelle ou en symétrie linéaire autour d'un troisième transistor.
[課題]高解像化が可能で、かつ撮像画像の画質を向上させる。 [解決手段]光検出装置は、2以上の第1画素回路ごとに共有される第2画素回路を備え、第2画素回路は、対応する画素の第1浮遊拡散領域の電荷を初期化した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第1容量素子と、対応する画素の第1浮遊拡散領域に光電変換素子の蓄積電荷を転送した状態で画素から出力される電圧信号を保持する第2容量素子と、第1容量素子に保持された電荷を、2以上の第1画素回路で共有される第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第1トランジスタと、第2容量素子に保持された電荷を、第2浮遊拡散領域に転送するか否かを切り替える第2トランジスタと、を有し、第2画素回路は、第3トランジスタの周囲に、2以上の第1画素回路に含まれる2以上の第1トランジスタ及び2以上の第2トランジスタが点対称又は線対称に配置される。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre ; jpn |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO2024203524A1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC APPARATUS |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-08T04%3A46%3A36IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=OSAWA%20Naoyuki&rft.date=2024-10-03&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2024203524A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |