THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM FORMING MATERIAL
The present invention pertains to a thin film manufacturing method and a thin film forming material, by which a bismuth metal thin film or an antimony metal thin film is formed by using a compound represented by general formula (1) and a compound represented by general formula (2). (In general formu...
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| Format: | Patent |
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| creator | ENZU, Masaki MITSUI, Chiaki OOE, Yoshiki NISHIDA, Akihiro |
| description | The present invention pertains to a thin film manufacturing method and a thin film forming material, by which a bismuth metal thin film or an antimony metal thin film is formed by using a compound represented by general formula (1) and a compound represented by general formula (2). (In general formula (1), M1 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony.) (In general formula (2), M2 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony, and L1, L2, and L3 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1-10 carbon atoms, or a group represented by general formula (3). However, M1 and M2 are the same metal.) (In general formula (3), R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1-10 carbon atoms, or -SiR3R4R5, R3, R4, and R5 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, and * represents a binding site with respect to M2.)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de film mince et un matériau de formation de film mince permettant de former un film mince métallique de bismuth ou un film mince métallique d'antimoine à l'aide d'un composé représenté par la formule générale (1) et d'un composé représenté par la formule générale (2). (Dans la formule générale (1), M1 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent.) (Dans la formule générale (2), M2 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent, et L1, L2, et L3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, un atome d'halogène, un groupe alcoxy ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou un groupe représenté par la formule générale (3). Cependant, M1 et M2 sont le même métal.) (Dans la formule générale (3), R1 et R2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou -SiR3R4R5, R3, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, et * représente un site de liaison par rapport à M2.)
本発明は、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物を用いて、ビスマス金属薄膜又はアンチモン金属薄膜を形成する、薄膜の製造方法及び薄膜形成用原料である。（一般式（１）中、Ｍ1は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表す。） （一般式（２）中、Ｍ2は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表し、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１以上１０以下のアルコキシ基又は下記一般式（３）で表される基を表す。但し、Ｍ1とＭ2は同一の金属である。） （一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、水素原子、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基又は－ＳｉＲ3Ｒ4Ｒ5を表し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を表し、＊は、Ｍ2との結合位置を表す。） |
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La présente invention concerne un procédé de fabrication de film mince et un matériau de formation de film mince permettant de former un film mince métallique de bismuth ou un film mince métallique d'antimoine à l'aide d'un composé représenté par la formule générale (1) et d'un composé représenté par la formule générale (2). (Dans la formule générale (1), M1 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent.) (Dans la formule générale (2), M2 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent, et L1, L2, et L3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, un atome d'halogène, un groupe alcoxy ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou un groupe représenté par la formule générale (3). Cependant, M1 et M2 sont le même métal.) (Dans la formule générale (3), R1 et R2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou -SiR3R4R5, R3, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, et * représente un site de liaison par rapport à M2.)
本発明は、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物を用いて、ビスマス金属薄膜又はアンチモン金属薄膜を形成する、薄膜の製造方法及び薄膜形成用原料である。（一般式（１）中、Ｍ1は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表す。） （一般式（２）中、Ｍ2は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表し、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１以上１０以下のアルコキシ基又は下記一般式（３）で表される基を表す。但し、Ｍ1とＭ2は同一の金属である。） （一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、水素原子、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基又は－ＳｉＲ3Ｒ4Ｒ5を表し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を表し、＊は、Ｍ2との結合位置を表す。）</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; ORGANIC CHEMISTRY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240829&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024177053A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240829&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024177053A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ENZU, Masaki</creatorcontrib><creatorcontrib>MITSUI, Chiaki</creatorcontrib><creatorcontrib>OOE, Yoshiki</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIDA, Akihiro</creatorcontrib><title>THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM FORMING MATERIAL</title><description>The present invention pertains to a thin film manufacturing method and a thin film forming material, by which a bismuth metal thin film or an antimony metal thin film is formed by using a compound represented by general formula (1) and a compound represented by general formula (2). (In general formula (1), M1 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony.) (In general formula (2), M2 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony, and L1, L2, and L3 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1-10 carbon atoms, or a group represented by general formula (3). However, M1 and M2 are the same metal.) (In general formula (3), R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1-10 carbon atoms, or -SiR3R4R5, R3, R4, and R5 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, and * represents a binding site with respect to M2.)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de film mince et un matériau de formation de film mince permettant de former un film mince métallique de bismuth ou un film mince métallique d'antimoine à l'aide d'un composé représenté par la formule générale (1) et d'un composé représenté par la formule générale (2). (Dans la formule générale (1), M1 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent.) (Dans la formule générale (2), M2 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent, et L1, L2, et L3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, un atome d'halogène, un groupe alcoxy ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou un groupe représenté par la formule générale (3). Cependant, M1 et M2 sont le même métal.) (Dans la formule générale (3), R1 et R2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou -SiR3R4R5, R3, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, et * représente un site de liaison par rapport à M2.)
本発明は、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物を用いて、ビスマス金属薄膜又はアンチモン金属薄膜を形成する、薄膜の製造方法及び薄膜形成用原料である。（一般式（１）中、Ｍ1は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表す。） （一般式（２）中、Ｍ2は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表し、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１以上１０以下のアルコキシ基又は下記一般式（３）で表される基を表す。但し、Ｍ1とＭ2は同一の金属である。） （一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、水素原子、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基又は－ＳｉＲ3Ｒ4Ｒ5を表し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を表し、＊は、Ｍ2との結合位置を表す。）</description><subject>ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>ORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAN8fD0U3Dz9PFV8HX0C3VzdA4JDfL0c1fwdQ3x8HdRcPRzUUAocfMP8gVLOoa4Bnk6-vAwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvhwfyMDIxNDc3MDU2NHQ2PiVAEAv_kqkQ</recordid><startdate>20240829</startdate><enddate>20240829</enddate><creator>ENZU, Masaki</creator><creator>MITSUI, Chiaki</creator><creator>OOE, Yoshiki</creator><creator>NISHIDA, Akihiro</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240829</creationdate><title>THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM FORMING MATERIAL</title><author>ENZU, Masaki ; MITSUI, Chiaki ; OOE, Yoshiki ; NISHIDA, Akihiro</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024177053A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>ORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ENZU, Masaki</creatorcontrib><creatorcontrib>MITSUI, Chiaki</creatorcontrib><creatorcontrib>OOE, Yoshiki</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIDA, Akihiro</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ENZU, Masaki</au><au>MITSUI, Chiaki</au><au>OOE, Yoshiki</au><au>NISHIDA, Akihiro</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM FORMING MATERIAL</title><date>2024-08-29</date><risdate>2024</risdate><abstract>The present invention pertains to a thin film manufacturing method and a thin film forming material, by which a bismuth metal thin film or an antimony metal thin film is formed by using a compound represented by general formula (1) and a compound represented by general formula (2). (In general formula (1), M1 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony.) (In general formula (2), M2 represents a trivalent bismuth or a trivalent antimony, and L1, L2, and L3 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1-10 carbon atoms, or a group represented by general formula (3). However, M1 and M2 are the same metal.) (In general formula (3), R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1-10 carbon atoms, or -SiR3R4R5, R3, R4, and R5 each independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms, and * represents a binding site with respect to M2.)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de film mince et un matériau de formation de film mince permettant de former un film mince métallique de bismuth ou un film mince métallique d'antimoine à l'aide d'un composé représenté par la formule générale (1) et d'un composé représenté par la formule générale (2). (Dans la formule générale (1), M1 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent.) (Dans la formule générale (2), M2 représente un bismuth trivalent ou un antimoine trivalent, et L1, L2, et L3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, un atome d'halogène, un groupe alcoxy ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou un groupe représenté par la formule générale (3). Cependant, M1 et M2 sont le même métal.) (Dans la formule générale (3), R1 et R2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ou -SiR3R4R5, R3, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone, et * représente un site de liaison par rapport à M2.)
本発明は、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物を用いて、ビスマス金属薄膜又はアンチモン金属薄膜を形成する、薄膜の製造方法及び薄膜形成用原料である。（一般式（１）中、Ｍ1は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表す。） （一般式（２）中、Ｍ2は、３価のビスマス又は３価のアンチモンを表し、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１以上１０以下のアルコキシ基又は下記一般式（３）で表される基を表す。但し、Ｍ1とＭ2は同一の金属である。） （一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、水素原子、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基又は－ＳｉＲ3Ｒ4Ｒ5を表し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、各々独立して、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を表し、＊は、Ｍ2との結合位置を表す。）</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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