SEMICONDUCTOR SAMPLE EVALUATION METHOD, SEMICONDUCTOR SAMPLE EVALUATION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD

Provided is a semiconductor sample evaluation method which includes: acquiring a decay curve by subjecting a semiconductor sample being evaluated to measurement by means of a photoconductive decay method for multiple times while changing a surface charge density; applying signal data processing using a model formula including an exponential decay term and a constant term to at least one decay curve among the decay curves obtained by the multiple measurements; obtaining a recombination lifetime τeff of the semiconductor sample from an exponential decay formula obtained by the signal data processing; obtaining a quadratic function, in which a surface charge density-related value is represented by a variable x and a value related to the constant term is represented by a variable y, from measurement results obtained by the multiple measurements; and obtaining a surface recombination lifetime τs of the semiconductor sample from the quadratic function. L'invention concerne un procédé d'évaluation d'échantillon de semi-conducteur consistant à : acquérir une courbe de décroissance en soumettant plusieurs fois un échantillon de semi-conducteur en cours d'évaluation à une mesure au moyen d'un procédé de décroissance photoconductrice tout en modifiant une densité de charge de surface ; appliquer un traitement de données de signal à l'aide d'une formule de modèle comprenant un terme de décroissance exponentielle et un terme constant à au moins une courbe de décroissance parmi les courbes de décroissance obtenues par les multiples mesures ; obtenir une durée de vie de recombinaison τeff de l'échantillon de semi-conducteur à partir d'une formule de décroissance exponentielle obtenue par le traitement de données de signal ; obtenir une fonction quadratique, dans laquelle une valeur liée à la densité de charge de surface est représentée par une variable x et une valeur associée au terme constant est représentée par une variable y, à partir des résultats de mesure obtenus par les multiples mesures ; et obtenir une durée de vie de recombinaison de surface τs de l'échantillon de semi-conducteur à partir de la fonction quadratique. 評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得することを、表面電荷密度を変えて複数回実施すること、上記複数回の測定によって得られた減衰曲線のうち少なくとも１つの減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施すこと、上記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から上記半導体試料の再結合ライフタイムτｅｆｆを求めること、上記複数回の測定によって得られた測定結果から、表面電荷密度関連値を変数ｘとし上記定数項に関連する値を変数ｙとする２次関数を求めること、および、上記２次関数から上記半導体試料の表面再結合ライフタイムτｓを求めること、を含む半導体試料の評価方法が提供される。