SUPERJUNCTION-JFET, METHOD FOR PRODUCING A SUPERJUNCTIONJFET AND ELECTRONIC CIRCUIT
A superjunction JFET, a method for producing a superjunction JFET, and an electronic circuit including a superjunction JFET are disclosed. The superjunction JFET has a threshold voltage and a depletion voltage. According to one example, the depletion volt- age is lower than 4 times of the magnitude...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A superjunction JFET, a method for producing a superjunction JFET, and an electronic circuit including a superjunction JFET are disclosed. The superjunction JFET has a threshold voltage and a depletion voltage. According to one example, the depletion volt- age is lower than 4 times of the magnitude of the threshold voltage. According to an- other example, the depletion voltage is less than 40 V or less than 30 V.
L'invention concerne un JFET à superjonction, un procédé de production d'un JFET à superjonction, et un circuit électronique comprenant un JFET à superjonction. Le JFET à superjonction présente une tension de seuil et une tension d'appauvrissement. Selon un exemple, la tension d'appauvrissement est inférieure à 4 fois l'amplitude de la tension de seuil. Selon un autre exemple, la tension d'appauvrissement est inférieure à 40 V ou inférieure à 30 V. |
---|