THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF INCLUDING EXPANDED SUPPORT OPENINGS AND DOUBLE SPACER WORD LINE CONTACT FORMATION

A memory device includes at least one alternating stack of respective insulating layers and respective electrically conductive layers and memory stack structures vertically extending through the at least one alternating stack. A layer contact via structure contacts a top surface of one of the electrically conductive layers, and is laterally surrounded by at least one dielectric spacer, which may include a plurality of dielectric spacers, and optionally by a plurality of dielectric support pillar structures. Additionally or alternatively, the layer contact via structure may comprise a convex surface segment that is adjoined to a straight sidewall segment. Est divulgué un dispositif de mémoire comprenant au moins un empilement alterné de couches isolantes respectives et de couches électriquement conductrices respectives et de structures d'empilement de mémoire s'étendant verticalement à travers ledit empilement alterné au moins. Une structure de trous d'interconnexion de contact de couches vient en contact avec une surface supérieure de l'une des couches électriquement conductrices, et est entourée latéralement par au moins un espaceur diélectrique, pouvant comprendre une pluralité d'espaceurs diélectriques, et facultativement par une pluralité de structures de piliers de support diélectrique. En outre ou en variante, la structure de trous d'interconnexion de contact de couches peut comprendre un segment de surface convexe qui jouxte un segment de paroi latérale droite.