REMOVABLE MASK LAYER TO REDUCE OVERHANG DURING RE-SPUTTER PROCESS IN PVD CHAMBERS

Apparatus and methods for processes of depositing a film on a substrate in an electronic device fabrication process are provided herein, and more particularly, apparatus and methods for improving deposited film uniformity within high aspect ratio features. In some embodiments, a metal layer deposition process is performed to deposit a metal layer in a feature definition formed in a substrate. A mask layer deposition process is performed to deposit a carbon layer on the metal layer. Following the mask layer deposition process, a resputtering process is performed by applying a radio frequency (RF) signal to the substrate in a presence of an inert gas. Following performing the resputtering process, an etching process is performed to remove the carbon. L'invention concerne un appareil et des procédés pour des processus de dépôt d'un film sur un substrat dans un processus de fabrication de dispositif électronique, et plus particulièrement, un appareil et des procédés pour améliorer l'uniformité d'un film déposé au sein de caractéristiques de rapport d'aspect élevées. Dans certains modes de réalisation, un processus de dépôt de couche métallique est réalisé pour déposer une couche métallique dans une définition de caractéristique formée dans un substrat. Un processus de dépôt de couche de masque est réalisé pour déposer une couche de carbone sur la couche métallique. À la suite du processus de dépôt de couche de masque, un processus de re-pulvérisation est réalisé par l'application d'un signal radiofréquence (RF) sur le substrat en présence d'un gaz inerte. À la suite de la réalisation du processus de re-pulvérisation, un processus de gravure est réalisé pour retirer le carbone.