BONDED SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING BONDED SUBSTRATE

Provided is a bonded substrate which has a high bonding strength, and in which the occurrence of voids is suppressed. A bonded substrate (1) according to one embodiment of the present disclosure is obtained by bonding a first substrate (10) and a second substrate (20) through a bonding surface (15). The first substrate (10) is a quartz substrate, and the second substrate (20) is a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate. An intermediate layer (11, 21), which is formed of silicon oxide, is formed on the bonding surface (15) side of at least one of the first substrate (10) and the second substrate (20). A first modification layer (12) is formed on the bonding surface (15) side of the first substrate, and a second modification layer (22) is formed on the bonding surface (15) side of the second substrate (20). Among the first modification layer (12) and the second modification layer (22), one modification layer (12, 22) that is formed on the intermediate layer (11, 21) has a thickness of 1.8 nm or more. La divulgation concerne un substrat lié qui a une force de liaison élevée, et dans lequel l'apparition de vides est supprimée. Un substrat lié (1) selon un mode de réalisation de la présente divulgation est obtenu par liaison d'un premier substrat (10) et d'un deuxième substrat (20) à travers une surface de liaison (15). Le premier substrat (10) est un substrat de quartz, et le deuxième substrat (20) est un substrat de tantalate de lithium ou un substrat de niobate de lithium. Une couche intermédiaire (11, 21), qui est formée d'oxyde de silicium, est formée sur le côté surface de liaison (15) du premier substrat (10) et/ou du deuxième substrat (20). Une première couche de modification (12) est formée sur le côté surface de liaison (15) du premier substrat, et une deuxième couche de modification (22) est formée sur le côté surface de liaison (15) du deuxième substrat (20). Parmi la première couche de modification (12) et la deuxième couche de modification (22), une couche de modification (12, 22) qui est formée sur la couche intermédiaire (11, 21) a une épaisseur de 1,8 nm ou plus. ボイドの発生を抑制しつつ、接合強度が高い接合基板を提供すること。本開示の一態様にかかる接合基板（１）は、第１基板（１０）と第２基板（２０）とが接合面（１５）を介して接合された接合基板である。第１基板（１０）は水晶基板であり、第２基板（２０）は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。第１基板（１０）及び第２基板（２０）の少なくとも一方の接合面（１５）側には、酸化シリコンからなる中間層（１１、２１）が形成されている。第１基板の接合面（１５）側には第１改質層（１２）が形成されており、第２基板（２０）の接合面（１５）側には第２改質層（２２）が形成されており、第１改質層（１２）及び第２改質層（２２）のうち中間層（１１、２１）の上に形成されている改質層（１２、２２）の厚さが１．８ｎｍ以上である。