DIRECTIONAL SELECTIVE FILL FOR SILICON GAP FILL PROCESSES

Exemplary processing methods may include providing a silicon-containing precursor and a carbon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be housed in the processing region. The substrate may define a feature within the substrate. The methods may include forming plasma effluents of the silicon-containing precursor and the carbon-containing precursor. The methods may include depositing a silicon-and-carbon-containing material on the substrate. The methods may include providing a hydrogen-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber, forming plasma effluents of the hydrogen-containing precursor, and etching the silicon-and-carbon-containing material from a sidewall of the feature within the substrate. The methods may include providing a nitrogen-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber, forming plasma effluents of the nitrogen-containing precursor, and doping the silicon-and-carbon-containing material with nitrogen. Des procédés de traitement illustratifs peuvent comprendre la fourniture d'un précurseur contenant du silicium et d'un précurseur contenant du carbone à une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Un substrat peut être logé dans la région de traitement. Le substrat peut définir un élément au sein du substrat. Les procédés peuvent comprendre la formation d'effluents de plasma du précurseur contenant du silicium et du précurseur contenant du carbone. Les procédés peuvent consister à déposer un matériau contenant du silicium et du carbone sur le substrat. Les procédés peuvent comprendre la fourniture d'un précurseur contenant de l'hydrogène à la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur, la formation d'effluents de plasma du précurseur contenant de l'hydrogène, et la gravure du matériau contenant du silicium et du carbone à partir d'une paroi latérale de l'élément au sein du substrat. Les procédés peuvent comprendre la fourniture d'un précurseur contenant de l'azote à la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur, la formation d'effluents de plasma du précurseur contenant de l'azote, et le dopage du matériau contenant du silicium et du carbone avec de l'azote.