THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED MEMORY BLOCK ISOLATION AND METHODS FOR FORMING THE SAME

A three-dimensional memory device may be formed by forming a vertically alternating sequence of insulating layers and sacrificial material layers over a substrate, forming memory openings, forming sacrificial memory opening fill structures in the memory openings, forming first cavities by removing a first subset of the sacrificial memory opening fill structures, forming laterally-extending cavities by performing an isotropic etch process that laterally recesses the sacrificial material layers, forming electrically conductive layers in the laterally-extending cavities, forming second cavities by removing the second subset of the sacrificial memory opening fill structures, and forming memory opening fill structures in each of the first cavities and the second cavities. L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel qui peut être formé en formant une séquence alternée verticalement de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel sur un substrat, en formant des ouvertures de mémoire, en formant des structures de remplissage d'ouverture de mémoire sacrificielle dans les ouvertures de mémoire, en formant des premières cavités par retrait d'un premier sous-ensemble des structures de remplissage d'ouverture de mémoire sacrificielle, en formant des cavités s'étendant latéralement par réalisation d'un processus de gravure isotrope qui évident latéralement les couches de matériau sacrificiel, en formant des couches électroconductrices dans les cavités s'étendant latéralement, en formant des secondes cavités par retrait du second sous-ensemble des structures de remplissage d'ouverture de mémoire sacrificielle, et en formant des structures de remplissage d'ouverture de mémoire dans chacune des premières cavités et des secondes cavités.