LIGHT EMITTING DIODE EPITAXIAL WAFER, LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A light-emitting diode epitaxial wafer (10), a light-emitting diode chip (20) and a manufacturing method therefor. The light-emitting diode epitaxial wafer (10) comprises: a substrate (11); a protective layer (12) provided on one side of the substrate (11); and a light-emitting structure (13) provid...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng ; fre |
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