LIGHT EMITTING DIODE EPITAXIAL WAFER, LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A light-emitting diode epitaxial wafer (10), a light-emitting diode chip (20) and a manufacturing method therefor. The light-emitting diode epitaxial wafer (10) comprises: a substrate (11); a protective layer (12) provided on one side of the substrate (11); and a light-emitting structure (13) provid...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | chi ; eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A light-emitting diode epitaxial wafer (10), a light-emitting diode chip (20) and a manufacturing method therefor. The light-emitting diode epitaxial wafer (10) comprises: a substrate (11); a protective layer (12) provided on one side of the substrate (11); and a light-emitting structure (13) provided on the side of the protective layer (12) facing away from the substrate (11), wherein the light-emitting structure (13) comprises a light-emitting layer (132), and a band gap of the protective layer (12) is less than or equal to a band gap of the light-emitting layer (132).
L'invention concerne une tranche épitaxiale de diode électroluminescente (10), une puce de diode électroluminescente (20) et son procédé de fabrication. La tranche épitaxiale de diode électroluminescente (10) comprend : un substrat (11) ; une couche de protection (12) disposée sur un côté du substrat (11) ; et une structure électroluminescente (13) disposée sur le côté de la couche de protection (12) opposé au substrat (11), la structure élec |
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