OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING

The invention concerns an optoelectronic device, in particular miniaturized light emitting device, for example use in a display. The optoelectronic device comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer arranged between the first and second semiconductor layer, a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: EBBECKE, Jens
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The invention concerns an optoelectronic device, in particular miniaturized light emitting device, for example use in a display. The optoelectronic device comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer arranged between the first and second semiconductor layer, and a first and a second contact area. The first and second semiconductor layer and the active layer extend in a lateral direction substantially perpendicular to a growth direction of the first and second semiconductor layer and the active layer. A first portion of the active layer is n-doped forming a first region. A second portion of the active layer is p-doped forming a second region. A third portion of the active layer separates the first and second region in the lateral direction and is substantially undoped forming a third region. And the first contact area is electrically coupled to the first region and the second contact area is electrically coupled to the second region. L'invention concerne un dispositif optoélectronique, en particulier un dispositif électroluminescent miniaturisé, par exemple utilisé dans un dispositif d'affichage. Le dispositif optoélectronique comprend une première couche semi-conductrice, une seconde couche semi-conductrice, une couche active disposée entre les première et seconde couches semi-conductrices, et une première et une seconde zone de contact. Les première et seconde couches semi-conductrices et la couche active s'étendent dans une direction latérale sensiblement perpendiculaire à une direction de croissance des première et seconde couches semi-conductrices et de la couche active. Une première partie de la couche active est dopée n formant une première région. Une seconde partie de la couche active est dopée p formant une seconde région. Une troisième partie de la couche active sépare les première et deuxième régions dans la direction latérale et est sensiblement non dopée formant une troisième région. La première zone de contact est électriquement couplée à la première région, et la seconde zone de contact est électriquement couplée à la seconde région.