SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
Provided is a semiconductor laser element in which carrier loss can be reduced. A semiconductor laser element according to the present invention has, in the following order in the upward direction, an n-side semiconductor layer, an active layer, and a p-side semiconductor layer, each of the layers b...
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| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| Zusammenfassung: | Provided is a semiconductor laser element in which carrier loss can be reduced. A semiconductor laser element according to the present invention has, in the following order in the upward direction, an n-side semiconductor layer, an active layer, and a p-side semiconductor layer, each of the layers being composed of a nitride semiconductor, wherein the p-side semiconductor layer has a first portion that is undoped, an electron barrier layer containing p-type impurities, and a second portion that has one or more p-type semiconductor layers containing p-type impurities, the first portion having: a first p-side composition-graded layer that is composed of InxGa1−xN, the In composition ratio x decreasing within the range of 0 to less than 1 with progression in the upward direction; a second p-side composition-graded layer that is disposed between the first p-side composition-graded layer and the electron barrier layer and composed of AlyGa1−yN, the Al composition ratio y increasing within the range of greater than 0 to less than 1 with progression in the upward direction; and an intermediate layer that is disposed between the first p-side composition-graded layer and the second p-side composition-graded layer and composed of AlzGa1−zN, the Al composition ratio z being within the range of greater than 0 to less than y.
L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur dans lequel une perte de support peut être réduite. Un élément laser à semi-conducteur selon la présente invention comprend, dans l'ordre suivant vers le haut, une couche semi-conductrice côté n, une couche active et une couche semi-conductrice côté p, chacune des couches étant composée d'un semi-conducteur au nitrure, la couche semi-conductrice côté p comprenant une première partie qui est non dopée, une couche barrière aux électrons contenant des impuretés de type p, et une seconde partie qui comprend une ou plusieurs couches semi-conductrices de type p contenant des impuretés de type p, la première partie comprenant : une première couche à gradient de composition côté p qui est composée d'InxGa1−xN, le rapport de composition d'In x diminuant dans la plage de 0 à moins de 1 selon une progression vers le haut ; une seconde couche à gradient de composition côté p qui est disposée entre la première couche à gradient de composition côté p et la couche barrière aux électrons et composée d'AlyGa1−yN, le rapport de composition d'Al y augmentant dans la plage supérieure à 0 à moins de 1 selon une p |
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