PROCESS TO DEPOSIT QUANTIZED NANO LAYERS BY MAGNETRON SPUTTERING
A process to deposit nanolaminates on a surface of a flat substrate, the process comprising the following steps : - mounting the substrate (s) in a vacuum process system on a substrate support in a peripheral region (R) of a holder, the holder being rotatable round its central axis B, the recipient...
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| Format: | Patent |
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| creator | BÄERTSCHI, Ilias Manuel BASELGIA, Manuel BATZER, Marietta Christina SCHWYN THÖNY, Silvia |
| description | A process to deposit nanolaminates on a surface of a flat substrate, the process comprising the following steps : - mounting the substrate (s) in a vacuum process system on a substrate support in a peripheral region (R) of a holder, the holder being rotatable round its central axis B, the recipient comprising at least one magnetron sputter station with a sputtering target mounted to a sputter source and spaced apart from the magnetron sputter station at least one plasma treatment station with a plasma source, the sputtering target and the plasma source both directed to a different section of the peripheral region (R) in each case, - pumping down the recipient, - rotating the holder at a constant speed round a central axis, - introducing a sputtering gas into the recipient, and - introducing a reactive gas directly into at least one of the sputter station or the plasma station, - igniting a magnetron discharge in the sputter station and setting a magnetron power level (Pm), and - igniting a plasma in the plasma treatment station and setting a plasma power level (Pp) of the plasma source, - exposing the substrate (s) successively by the rotation of the holder o to the magnetron discharge to deposit a layer LH of high refractive index material, and o to the treatment plasma to produce a layer L1 of low refractive index material, whereat the rotation speed of the holder and the magnetron power level (Pm) is set so, that the layer thickness dh of a well layer Lh of the high refractive material is: 0.1 ≤ dh≤ 5 nm.
L'invention concerne un procédé pour déposer des nanostratifiés sur une surface d'un substrat plat, le procédé comprenant les étapes suivantes : - monter le ou les substrats dans un système de traitement à vide sur un support de substrat dans une région périphérique (R) d'un support, le support pouvant tourner autour de son axe central B, le récipient comprenant au moins une station de pulvérisation magnétron dotée d'une cible de pulvérisation cathodique montée sur une source de pulvérisation et au moins une station de traitement au plasma dotée d'une source de plasma espacée de la station de pulvérisation magnétron, la cible de pulvérisation cathodique et la source de plasma étant toutes deux dirigées vers une section différente de la région périphérique (R) dans chaque cas, - effectuer un pompage du récipient, - faire tourner le support à une vitesse constante autour d'un axe central, - introduire un gaz de pulvérisation cathodique dans la station de |
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L'invention concerne un procédé pour déposer des nanostratifiés sur une surface d'un substrat plat, le procédé comprenant les étapes suivantes : - monter le ou les substrats dans un système de traitement à vide sur un support de substrat dans une région périphérique (R) d'un support, le support pouvant tourner autour de son axe central B, le récipient comprenant au moins une station de pulvérisation magnétron dotée d'une cible de pulvérisation cathodique montée sur une source de pulvérisation et au moins une station de traitement au plasma dotée d'une source de plasma espacée de la station de pulvérisation magnétron, la cible de pulvérisation cathodique et la source de plasma étant toutes deux dirigées vers une section différente de la région périphérique (R) dans chaque cas, - effectuer un pompage du récipient, - faire tourner le support à une vitesse constante autour d'un axe central, - introduire un gaz de pulvérisation cathodique dans la station de pulvérisation, et - introduire un gaz réactif directement dans au moins une station parmi la station de pulvérisation ou la station de plasma, - initier une décharge magnétron dans la station de pulvérisation et régler un niveau de puissance magnétron (Pm), et - initier un plasma dans la station de traitement plasma et régler un niveau de puissance de plasma (Pp) de la source de plasma, - exposer le ou les substrats successivement à la décharge magnétron au moyen de la rotation du support o pour déposer une couche LH de matériau à indice de réfraction élevé, et o au plasma de traitement pour produire une couche L1 de matériau à faible indice de réfraction, la vitesse de rotation du support et le niveau de puissance magnétron (pm) étant réglés de telle sorte que l'épaisseur de couche dh d'une couche de puits Lh du matériau à réfraction élevée vaut : 0,1 ≤ dh ≤ 5 nm.</description><language>eng ; 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L'invention concerne un procédé pour déposer des nanostratifiés sur une surface d'un substrat plat, le procédé comprenant les étapes suivantes : - monter le ou les substrats dans un système de traitement à vide sur un support de substrat dans une région périphérique (R) d'un support, le support pouvant tourner autour de son axe central B, le récipient comprenant au moins une station de pulvérisation magnétron dotée d'une cible de pulvérisation cathodique montée sur une source de pulvérisation et au moins une station de traitement au plasma dotée d'une source de plasma espacée de la station de pulvérisation magnétron, la cible de pulvérisation cathodique et la source de plasma étant toutes deux dirigées vers une section différente de la région périphérique (R) dans chaque cas, - effectuer un pompage du récipient, - faire tourner le support à une vitesse constante autour d'un axe central, - introduire un gaz de pulvérisation cathodique dans la station de pulvérisation, et - introduire un gaz réactif directement dans au moins une station parmi la station de pulvérisation ou la station de plasma, - initier une décharge magnétron dans la station de pulvérisation et régler un niveau de puissance magnétron (Pm), et - initier un plasma dans la station de traitement plasma et régler un niveau de puissance de plasma (Pp) de la source de plasma, - exposer le ou les substrats successivement à la décharge magnétron au moyen de la rotation du support o pour déposer une couche LH de matériau à indice de réfraction élevé, et o au plasma de traitement pour produire une couche L1 de matériau à faible indice de réfraction, la vitesse de rotation du support et le niveau de puissance magnétron (pm) étant réglés de telle sorte que l'épaisseur de couche dh d'une couche de puits Lh du matériau à réfraction élevée vaut : 0,1 ≤ dh ≤ 5 nm.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS</subject><subject>OPTICS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHAICPJ3dg0OVgjxV3BxDfAP9gxRCAx19AvxjHJ1UfBz9PNX8HGMdA0KVnCKVPB1dPdzDQny91MIDggNCXEN8vRz52FgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGJgamZsaGxo6GxsSpAgCEjyvx</recordid><startdate>20240321</startdate><enddate>20240321</enddate><creator>BÄERTSCHI, Ilias Manuel</creator><creator>BASELGIA, Manuel</creator><creator>BATZER, Marietta Christina</creator><creator>SCHWYN THÖNY, Silvia</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240321</creationdate><title>PROCESS TO DEPOSIT QUANTIZED NANO LAYERS BY MAGNETRON SPUTTERING</title><author>BÄERTSCHI, Ilias Manuel ; 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L'invention concerne un procédé pour déposer des nanostratifiés sur une surface d'un substrat plat, le procédé comprenant les étapes suivantes : - monter le ou les substrats dans un système de traitement à vide sur un support de substrat dans une région périphérique (R) d'un support, le support pouvant tourner autour de son axe central B, le récipient comprenant au moins une station de pulvérisation magnétron dotée d'une cible de pulvérisation cathodique montée sur une source de pulvérisation et au moins une station de traitement au plasma dotée d'une source de plasma espacée de la station de pulvérisation magnétron, la cible de pulvérisation cathodique et la source de plasma étant toutes deux dirigées vers une section différente de la région périphérique (R) dans chaque cas, - effectuer un pompage du récipient, - faire tourner le support à une vitesse constante autour d'un axe central, - introduire un gaz de pulvérisation cathodique dans la station de pulvérisation, et - introduire un gaz réactif directement dans au moins une station parmi la station de pulvérisation ou la station de plasma, - initier une décharge magnétron dans la station de pulvérisation et régler un niveau de puissance magnétron (Pm), et - initier un plasma dans la station de traitement plasma et régler un niveau de puissance de plasma (Pp) de la source de plasma, - exposer le ou les substrats successivement à la décharge magnétron au moyen de la rotation du support o pour déposer une couche LH de matériau à indice de réfraction élevé, et o au plasma de traitement pour produire une couche L1 de matériau à faible indice de réfraction, la vitesse de rotation du support et le niveau de puissance magnétron (pm) étant réglés de telle sorte que l'épaisseur de couche dh d'une couche de puits Lh du matériau à réfraction élevée vaut : 0,1 ≤ dh ≤ 5 nm.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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