METHOD OF FORMING A MOISTURE BARRIER ON PHOTOSENSITIVE ORGANOMETALLIC OXIDES
Various embodiments of methods are provided for forming a moisture barrier layer on an EUV-active photoresist film before patterning the EUV-active photoresist film with EUV lithography. According to one embodiment, the methods disclosed herein may form an EUV-active photoresist film on a surface of...
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| creator | TAPILY, Kandabara MATSUKI, Nobuo |
| description | Various embodiments of methods are provided for forming a moisture barrier layer on an EUV-active photoresist film before patterning the EUV-active photoresist film with EUV lithography. According to one embodiment, the methods disclosed herein may form an EUV-active photoresist film on a surface of a semiconductor substrate and a moisture barrier layer containing a hydrocarbon polymer on the EUV-active photoresist film before the EUV-active photoresist film is patterned with EUV lithography to form a patterned photoresist on the substrate surface. In some embodiments, a first hydrocarbon polymer layer may be formed on the substrate surface before an EUV-active photoresist film is formed on the first hydrocarbon polymer layer. By providing a hydrocarbon polymer layer above and/or below the EUV-active photoresist film, the disclosed methods improve the performance of the EUV-active photoresist film by protecting upper/lower surfaces of the EUV-active photoresist film from undergoing unwanted chemical reactions.
La présente invention fournit divers modes de réalisation de procédés destinés à former une couche barrière contre l'humidité sur un film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant de former des motifs sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV par lithographie EUV. Selon un mode de réalisation, les procédés de l'invention peuvent former un film de résine photosensible actif sensible aux EUV sur une surface d'un substrat semi-conducteur ainsi qu'une couche barrière contre l'humidité contenant un polymère hydrocarboné sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant que le film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne subisse de formation de motifs par lithographie EUV pour former une résine photosensible à motifs sur la surface du substrat. Dans certains modes de réalisation, une première couche de polymère hydrocarboné peut être formée sur la surface du substrat avant qu'un film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne soit formé sur la première couche de polymère hydrocarboné. En fournissant une couche de polymère hydrocarboné au-dessus et/ou au-dessous du film de résine photosensible actif sensible aux EUV, les procédés décrits améliorent les performances du film de résine photosensible actif sensible aux EUV en protégeant les surfaces supérieure/inférieure du film de résine photosensible actif sensible aux EUV contre des réactions chimiques indésirables. |
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La présente invention fournit divers modes de réalisation de procédés destinés à former une couche barrière contre l'humidité sur un film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant de former des motifs sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV par lithographie EUV. Selon un mode de réalisation, les procédés de l'invention peuvent former un film de résine photosensible actif sensible aux EUV sur une surface d'un substrat semi-conducteur ainsi qu'une couche barrière contre l'humidité contenant un polymère hydrocarboné sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant que le film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne subisse de formation de motifs par lithographie EUV pour former une résine photosensible à motifs sur la surface du substrat. Dans certains modes de réalisation, une première couche de polymère hydrocarboné peut être formée sur la surface du substrat avant qu'un film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne soit formé sur la première couche de polymère hydrocarboné. En fournissant une couche de polymère hydrocarboné au-dessus et/ou au-dessous du film de résine photosensible actif sensible aux EUV, les procédés décrits améliorent les performances du film de résine photosensible actif sensible aux EUV en protégeant les surfaces supérieure/inférieure du film de résine photosensible actif sensible aux EUV contre des réactions chimiques indésirables.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240314&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024054311A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240314&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024054311A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TAPILY, Kandabara</creatorcontrib><creatorcontrib>MATSUKI, Nobuo</creatorcontrib><title>METHOD OF FORMING A MOISTURE BARRIER ON PHOTOSENSITIVE ORGANOMETALLIC OXIDES</title><description>Various embodiments of methods are provided for forming a moisture barrier layer on an EUV-active photoresist film before patterning the EUV-active photoresist film with EUV lithography. According to one embodiment, the methods disclosed herein may form an EUV-active photoresist film on a surface of a semiconductor substrate and a moisture barrier layer containing a hydrocarbon polymer on the EUV-active photoresist film before the EUV-active photoresist film is patterned with EUV lithography to form a patterned photoresist on the substrate surface. In some embodiments, a first hydrocarbon polymer layer may be formed on the substrate surface before an EUV-active photoresist film is formed on the first hydrocarbon polymer layer. By providing a hydrocarbon polymer layer above and/or below the EUV-active photoresist film, the disclosed methods improve the performance of the EUV-active photoresist film by protecting upper/lower surfaces of the EUV-active photoresist film from undergoing unwanted chemical reactions.
La présente invention fournit divers modes de réalisation de procédés destinés à former une couche barrière contre l'humidité sur un film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant de former des motifs sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV par lithographie EUV. Selon un mode de réalisation, les procédés de l'invention peuvent former un film de résine photosensible actif sensible aux EUV sur une surface d'un substrat semi-conducteur ainsi qu'une couche barrière contre l'humidité contenant un polymère hydrocarboné sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant que le film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne subisse de formation de motifs par lithographie EUV pour former une résine photosensible à motifs sur la surface du substrat. 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According to one embodiment, the methods disclosed herein may form an EUV-active photoresist film on a surface of a semiconductor substrate and a moisture barrier layer containing a hydrocarbon polymer on the EUV-active photoresist film before the EUV-active photoresist film is patterned with EUV lithography to form a patterned photoresist on the substrate surface. In some embodiments, a first hydrocarbon polymer layer may be formed on the substrate surface before an EUV-active photoresist film is formed on the first hydrocarbon polymer layer. By providing a hydrocarbon polymer layer above and/or below the EUV-active photoresist film, the disclosed methods improve the performance of the EUV-active photoresist film by protecting upper/lower surfaces of the EUV-active photoresist film from undergoing unwanted chemical reactions.
La présente invention fournit divers modes de réalisation de procédés destinés à former une couche barrière contre l'humidité sur un film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant de former des motifs sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV par lithographie EUV. Selon un mode de réalisation, les procédés de l'invention peuvent former un film de résine photosensible actif sensible aux EUV sur une surface d'un substrat semi-conducteur ainsi qu'une couche barrière contre l'humidité contenant un polymère hydrocarboné sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV avant que le film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne subisse de formation de motifs par lithographie EUV pour former une résine photosensible à motifs sur la surface du substrat. Dans certains modes de réalisation, une première couche de polymère hydrocarboné peut être formée sur la surface du substrat avant qu'un film de résine photosensible actif sensible aux EUV ne soit formé sur la première couche de polymère hydrocarboné. En fournissant une couche de polymère hydrocarboné au-dessus et/ou au-dessous du film de résine photosensible actif sensible aux EUV, les procédés décrits améliorent les performances du film de résine photosensible actif sensible aux EUV en protégeant les surfaces supérieure/inférieure du film de résine photosensible actif sensible aux EUV contre des réactions chimiques indésirables.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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