METHODS FOR CONSTRUCTING PACKAGE SUBSTRATES WITH HIGH DENSITY

A disclosed method can include (i) positioning a first surface of a component of a semiconductor device on a first plated through-hole, (ii) covering, with a layer of dielectric material, at least a second surface of the component that is opposite the first surface of the component, (iii) removing a portion of the layer of dielectric material covering the second surface of the component to form at least one cavity, and (iv) depositing conductive material in the cavity to form a second plated through-hole on the second surface of the component. Various other apparatuses, systems, and methods are also disclosed. Un procédé selon l'invention peut consister (i) à positionner une première surface d'un composant d'un dispositif à semi-conducteur sur un premier trou traversant plaqué, (ii) à recouvrir, avec une couche de matériau diélectrique, au moins une seconde surface du composant qui est opposée à la première surface du composant, (iii) à retirer une partie de la couche de matériau diélectrique recouvrant la seconde surface du composant pour former au moins une cavité, et (iv) à déposer un matériau conducteur dans la cavité pour former un second trou traversant plaqué sur la seconde surface du composant. Divers autres appareils, systèmes et procédés sont également divulgués.