PRODUCTION METHOD AND PART
This method for producing a part for a plasma treatment device involves: (A) a step for preparing a core material having a shape which is similar to a final shape of an electrode and which is smaller than the final shape; (B) a step for forming, with a film forming device, a SiC laminate part on the...
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Format: | Patent |
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creator | ISHIHARA, Yasumasa SASAKI, Masaru FUJII, Hiroshi YAKUSHIJI, Hideaki MURAKAMI, Takahiro SON, Ryou |
description | This method for producing a part for a plasma treatment device involves: (A) a step for preparing a core material having a shape which is similar to a final shape of an electrode and which is smaller than the final shape; (B) a step for forming, with a film forming device, a SiC laminate part on the core material; and (C) a step for forming a SiC layer by removing at least part of the SiC laminate part to process same into the final shape. Accordingly, a SiC-containing part for a plasma treatment device can be produced with high accuracy.
Selon l'invention, un procédé de production d'une pièce pour un dispositif de traitement au plasma comprend : (A) une étape de préparation d'un matériau de noyau ayant une forme qui est similaire à une forme finale d'une électrode et qui est plus petite que la forme finale ; (B) une étape de formation, avec un dispositif de formation de film, d'une pièce de stratifié de SiC sur le matériau de noyau ; et (C) une étape de formation d'une couche de SiC par retrait d'au moins une partie de la pièce de stratifié de SiC pour lui donner la forme finale. Par conséquent, une pièce contenant du SiC pour un dispositif de traitement au plasma peut être produite avec une précision élevée.
プラズマ処理装置用の部品の製造方法は、(A)前記電極の最終形状に相似し、かつ前記最終形状よりも小さな形状の心材を準備する工程と、(B)成膜装置により前記心材にSiC積層部を形成する工程と、(C)少なくとも前記SiC積層部の一部を除去することにより、SiC層を形成して前記最終形状に加工する工程と、を有する。これにより、SiCを有するプラズマ処理装置用の部品を精度よく製造することができる。 |
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Selon l'invention, un procédé de production d'une pièce pour un dispositif de traitement au plasma comprend : (A) une étape de préparation d'un matériau de noyau ayant une forme qui est similaire à une forme finale d'une électrode et qui est plus petite que la forme finale ; (B) une étape de formation, avec un dispositif de formation de film, d'une pièce de stratifié de SiC sur le matériau de noyau ; et (C) une étape de formation d'une couche de SiC par retrait d'au moins une partie de la pièce de stratifié de SiC pour lui donner la forme finale. Par conséquent, une pièce contenant du SiC pour un dispositif de traitement au plasma peut être produite avec une précision élevée.
プラズマ処理装置用の部品の製造方法は、(A)前記電極の最終形状に相似し、かつ前記最終形状よりも小さな形状の心材を準備する工程と、(B)成膜装置により前記心材にSiC積層部を形成する工程と、(C)少なくとも前記SiC積層部の一部を除去することにより、SiC層を形成して前記最終形状に加工する工程と、を有する。これにより、SiCを有するプラズマ処理装置用の部品を精度よく製造することができる。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024024803A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024024803A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ISHIHARA, Yasumasa</creatorcontrib><creatorcontrib>SASAKI, Masaru</creatorcontrib><creatorcontrib>FUJII, Hiroshi</creatorcontrib><creatorcontrib>YAKUSHIJI, Hideaki</creatorcontrib><creatorcontrib>MURAKAMI, Takahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>SON, Ryou</creatorcontrib><title>PRODUCTION METHOD AND PART</title><description>This method for producing a part for a plasma treatment device involves: (A) a step for preparing a core material having a shape which is similar to a final shape of an electrode and which is smaller than the final shape; (B) a step for forming, with a film forming device, a SiC laminate part on the core material; and (C) a step for forming a SiC layer by removing at least part of the SiC laminate part to process same into the final shape. Accordingly, a SiC-containing part for a plasma treatment device can be produced with high accuracy.
Selon l'invention, un procédé de production d'une pièce pour un dispositif de traitement au plasma comprend : (A) une étape de préparation d'un matériau de noyau ayant une forme qui est similaire à une forme finale d'une électrode et qui est plus petite que la forme finale ; (B) une étape de formation, avec un dispositif de formation de film, d'une pièce de stratifié de SiC sur le matériau de noyau ; et (C) une étape de formation d'une couche de SiC par retrait d'au moins une partie de la pièce de stratifié de SiC pour lui donner la forme finale. Par conséquent, une pièce contenant du SiC pour un dispositif de traitement au plasma peut être produite avec une précision élevée.
プラズマ処理装置用の部品の製造方法は、(A)前記電極の最終形状に相似し、かつ前記最終形状よりも小さな形状の心材を準備する工程と、(B)成膜装置により前記心材にSiC積層部を形成する工程と、(C)少なくとも前記SiC積層部の一部を除去することにより、SiC層を形成して前記最終形状に加工する工程と、を有する。これにより、SiCを有するプラズマ処理装置用の部品を精度よく製造することができる。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAKCPJ3CXUO8fT3U_B1DfHwd1Fw9HNRCHAMCuFhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRiZAZGFg7GhoTJwqALCYIRU</recordid><startdate>20240201</startdate><enddate>20240201</enddate><creator>ISHIHARA, Yasumasa</creator><creator>SASAKI, Masaru</creator><creator>FUJII, Hiroshi</creator><creator>YAKUSHIJI, Hideaki</creator><creator>MURAKAMI, Takahiro</creator><creator>SON, Ryou</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240201</creationdate><title>PRODUCTION METHOD AND PART</title><author>ISHIHARA, Yasumasa ; SASAKI, Masaru ; FUJII, Hiroshi ; YAKUSHIJI, Hideaki ; MURAKAMI, Takahiro ; SON, Ryou</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024024803A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ISHIHARA, Yasumasa</creatorcontrib><creatorcontrib>SASAKI, Masaru</creatorcontrib><creatorcontrib>FUJII, Hiroshi</creatorcontrib><creatorcontrib>YAKUSHIJI, Hideaki</creatorcontrib><creatorcontrib>MURAKAMI, Takahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>SON, Ryou</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ISHIHARA, Yasumasa</au><au>SASAKI, Masaru</au><au>FUJII, Hiroshi</au><au>YAKUSHIJI, Hideaki</au><au>MURAKAMI, Takahiro</au><au>SON, Ryou</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PRODUCTION METHOD AND PART</title><date>2024-02-01</date><risdate>2024</risdate><abstract>This method for producing a part for a plasma treatment device involves: (A) a step for preparing a core material having a shape which is similar to a final shape of an electrode and which is smaller than the final shape; (B) a step for forming, with a film forming device, a SiC laminate part on the core material; and (C) a step for forming a SiC layer by removing at least part of the SiC laminate part to process same into the final shape. Accordingly, a SiC-containing part for a plasma treatment device can be produced with high accuracy.
Selon l'invention, un procédé de production d'une pièce pour un dispositif de traitement au plasma comprend : (A) une étape de préparation d'un matériau de noyau ayant une forme qui est similaire à une forme finale d'une électrode et qui est plus petite que la forme finale ; (B) une étape de formation, avec un dispositif de formation de film, d'une pièce de stratifié de SiC sur le matériau de noyau ; et (C) une étape de formation d'une couche de SiC par retrait d'au moins une partie de la pièce de stratifié de SiC pour lui donner la forme finale. Par conséquent, une pièce contenant du SiC pour un dispositif de traitement au plasma peut être produite avec une précision élevée.
プラズマ処理装置用の部品の製造方法は、(A)前記電極の最終形状に相似し、かつ前記最終形状よりも小さな形状の心材を準備する工程と、(B)成膜装置により前記心材にSiC積層部を形成する工程と、(C)少なくとも前記SiC積層部の一部を除去することにより、SiC層を形成して前記最終形状に加工する工程と、を有する。これにより、SiCを有するプラズマ処理装置用の部品を精度よく製造することができる。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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