A HETEROEPITAXIAL WAFER FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE
A heteroepitaxial wafer comprising in the following order (1) a substrate made of Silicon having a thickness, a diameter, a crystal orientation, a resistivity, a frontside and a backside, (2) a nucleation layer comprising AlN and 3C-SiC, (3) a first boron nitride layer having a first boron nitride l...
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| Format: | Patent |
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| creator | THAPA, Sarad Bahadur MURPHY, Brian |
| description | A heteroepitaxial wafer comprising in the following order (1) a substrate made of Silicon having a thickness, a diameter, a crystal orientation, a resistivity, a frontside and a backside, (2) a nucleation layer comprising AlN and 3C-SiC, (3) a first boron nitride layer having a first boron nitride layer thickness and (4) a layer of nitride having a nitride layer thickness comprising an element out of the list of elements of Aluminum, Gallium, Indium and Thallium.
L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale comprenant, dans l'ordre suivant, (1) un substrat en silicium ayant une épaisseur, un diamètre, une orientation cristalline, une résistivité, une face avant et une face arrière, (2) une couche de nucléation comprenant AlN et 3C-SiC, (3) une première couche de nitrure de bore ayant une première épaisseur de couche de nitrure de bore et (4) une couche de nitrure ayant une épaisseur de couche de nitrure comprenant un élément parmi la liste d'éléments choisis parmi l'aluminium, le gallium, l'indium et le thallium. |
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L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale comprenant, dans l'ordre suivant, (1) un substrat en silicium ayant une épaisseur, un diamètre, une orientation cristalline, une résistivité, une face avant et une face arrière, (2) une couche de nucléation comprenant AlN et 3C-SiC, (3) une première couche de nitrure de bore ayant une première épaisseur de couche de nitrure de bore et (4) une couche de nitrure ayant une épaisseur de couche de nitrure comprenant un élément parmi la liste d'éléments choisis parmi l'aluminium, le gallium, l'indium et le thallium.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024023004A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024023004A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>THAPA, Sarad Bahadur</creatorcontrib><creatorcontrib>MURPHY, Brian</creatorcontrib><title>A HETEROEPITAXIAL WAFER FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE</title><description>A heteroepitaxial wafer comprising in the following order (1) a substrate made of Silicon having a thickness, a diameter, a crystal orientation, a resistivity, a frontside and a backside, (2) a nucleation layer comprising AlN and 3C-SiC, (3) a first boron nitride layer having a first boron nitride layer thickness and (4) a layer of nitride having a nitride layer thickness comprising an element out of the list of elements of Aluminum, Gallium, Indium and Thallium.
L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale comprenant, dans l'ordre suivant, (1) un substrat en silicium ayant une épaisseur, un diamètre, une orientation cristalline, une résistivité, une face avant et une face arrière, (2) une couche de nucléation comprenant AlN et 3C-SiC, (3) une première couche de nitrure de bore ayant une première épaisseur de couche de nitrure de bore et (4) une couche de nitrure ayant une épaisseur de couche de nitrure comprenant un élément parmi la liste d'éléments choisis parmi l'aluminium, le gallium, l'indium et le thallium.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLB1VPBwDXEN8ncN8AxxjPB09FEId3RzDVJw8w9SCPFwVXBxDfAP9gzx9PdT8HdTcHf08fEM9VXw8wwJ8nRx5WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGJgZGxgYGJo6GxsSpAgDEqCqJ</recordid><startdate>20240201</startdate><enddate>20240201</enddate><creator>THAPA, Sarad Bahadur</creator><creator>MURPHY, Brian</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240201</creationdate><title>A HETEROEPITAXIAL WAFER FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE</title><author>THAPA, Sarad Bahadur ; MURPHY, Brian</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024023004A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>THAPA, Sarad Bahadur</creatorcontrib><creatorcontrib>MURPHY, Brian</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>THAPA, Sarad Bahadur</au><au>MURPHY, Brian</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>A HETEROEPITAXIAL WAFER FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE</title><date>2024-02-01</date><risdate>2024</risdate><abstract>A heteroepitaxial wafer comprising in the following order (1) a substrate made of Silicon having a thickness, a diameter, a crystal orientation, a resistivity, a frontside and a backside, (2) a nucleation layer comprising AlN and 3C-SiC, (3) a first boron nitride layer having a first boron nitride layer thickness and (4) a layer of nitride having a nitride layer thickness comprising an element out of the list of elements of Aluminum, Gallium, Indium and Thallium.
L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale comprenant, dans l'ordre suivant, (1) un substrat en silicium ayant une épaisseur, un diamètre, une orientation cristalline, une résistivité, une face avant et une face arrière, (2) une couche de nucléation comprenant AlN et 3C-SiC, (3) une première couche de nitrure de bore ayant une première épaisseur de couche de nitrure de bore et (4) une couche de nitrure ayant une épaisseur de couche de nitrure comprenant un élément parmi la liste d'éléments choisis parmi l'aluminium, le gallium, l'indium et le thallium.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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