RECONFIGURABLE INTELLIGENT SURFACE FORMING MULTIPLE RESONANCES

The present disclosure relates to a 5G communication system or a 6G communication system for supporting higher data rates beyond a 4G communication system such as long term evolution (LTE). A unit cell of a RIS includes a first conductive structure including a first element and a second element disposed under the first element; a second conductive structure including a third element and a fourth element disposed under the third element; and a switch circuit disposed between the first conductive structure and the second conductive structure. As a first RF signal from a first external device is incident on the unit cell, a second RF signal having a first resonance frequency is reflected based on electrical paths formed respectively in the first element and the third element, and a third RF signal having a second resonance frequency different from the first resonance frequency is reflected based on electrical paths formed respectively in the second element and the fourth element. La présente divulgation se rapporte à un système de communication 5G ou un système de communication 6G apte à prendre en charge des débits de données supérieurs à ceux d'un système de communication 4G, tel qu'un système d'évolution à long terme (LTE). Une cellule unité d'une RIS comprend une première structure conductrice comprenant un premier élément et un deuxième élément disposé sous le premier élément ; une seconde structure conductrice comprenant un troisième élément et un quatrième élément disposé sous le troisième élément ; et un circuit de commutation disposé entre la première structure conductrice et la seconde structure conductrice. Lorsqu'un premier signal RF provenant d'un premier dispositif externe est incident sur la cellule unité, un deuxième signal RF ayant une première fréquence de résonance est réfléchi sur la base de chemins électriques formés respectivement dans le premier élément et le troisième élément, et un troisième signal RF ayant une seconde fréquence de résonance différente de la première fréquence de résonance est réfléchi sur la base de chemins électriques formés respectivement dans le deuxième élément et le quatrième élément.