GROUP III NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

A group III nitride substrate that comprises a GaN epitaxial layer formed on a GaN substrate and contains oxygen as an impurity element, wherein: the polished surface of the c-plane of the group III nitride substrate includes at least one first region exhibiting a first impurity concentration and a second region exhibiting a second impurity concentration that is lower than the first impurity concentration; the first dislocation density in the first region is lower than the second dislocation density in the second region; and the root mean square surface roughness (RMS) in any 0.2 mm square area within the surface of the group III nitride substrate is 10 nm or less. Un substrat de nitrure du groupe III qui comprend une couche épitaxiale de GaN formée sur un substrat de GaN et contient de l'oxygène en tant qu'élément d'impureté, la surface polie du plan c du substrat de nitrure du groupe III comprenant au moins une première région présentant une première concentration d'impuretés et une seconde région présentant une seconde concentration d'impuretés qui est inférieure à la première concentration d'impuretés; la première densité de dislocation dans la première région est inférieure à la seconde densité de dislocation dans la seconde région; et la rugosité de surface carrée moyenne de racine (RMS) dans n'importe quelle zone carrée de 0,2 mm dans la surface du substrat de nitrure du groupe III est de 10 nm ou moins. ＩＩＩ族窒化物基板は、ＧａＮ基板上に形成されたＧａＮエピタキシャル層からなるＩＩＩ族窒化物基板であって、不純物元素として酸素を含み、ＩＩＩ族窒化物基板のｃ面について研磨された表面内において、第１不純物濃度を示す少なくとも１つの第１領域と、第１不純物濃度よりも低い第２不純物濃度を示す第２領域と、を有し、第１領域の第１転位密度は、第２領域の第２転位密度よりも低く、ＩＩＩ族窒化物基板の表面内の任意の０．２ｍｍ角の範囲で、二乗平均面粗さＲＭＳ値が１０ｎｍ以下である。