TUNGSTEN TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

The present invention provides a tungsten target and a method for manufacturing the same that suppresses the occurrence of particle-causing pores, controlling the size and distribution thereof to high precision. The tungsten target is formed from sintered tungsten powders, wherein, in a 0.15 mm2 observation area having a relative density of 99% or more, there are no more than 20 pores that are 0.01 μm2 or more and less than 0.2 μm2 in size, no more than five pores that are 0.2 μm2 or more and less than 1.8 μm2 in size, and no more than one pore that is 1.8 μm2 or more in size. La présente invention concerne une cible de tungstène et son procédé de fabrication qui supprime l'apparition de pores provoquant des particules, régulant la taille et la distribution de ceux-ci à une précision élevée. La cible de tungstène est formée à partir de poudres de tungstène frittées, où, dans une zone d'observation de 0,15 mm2 ayant une densité relative de 99 % ou plus, il n'y a pas plus de 20 pores qui ont une taille de 0,01 µm2 ou plus et moins de 0,2 µm2, pas plus de cinq pores qui ont une taille de 0,2 µm2 ou plus et moins de 1,8 µm2, et pas plus d'un pore qui a une taille de 1,8 µm2 ou plus. パーティクルの発生原因であるポアの生成を抑え、そのサイズと分布を高精度に制御したタングステンターゲット及びその製造方法を提供する。 タングステン粉末の焼結体で形成されたタングステンターゲットであって、相対密度が９９％以上であり、０．１５ｍｍ２の観察領域において、０．０１μｍ２以上０．２μｍ２未満の大きさのポアが２０個以下であり、０．２μｍ２以上１．８μｍ２未満の大きさのポアが５個以下であり、１．８μｍ２以上の大きさのポアが１個以下であるタングステンターゲット。