OPTICALLY EFFICIENT SILICON NITRIDE EDGE COUPLERS IN PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS

A photonic integrated circuit (PIC) includes one or more silicon nitride edge couplers directly formed on exposed portions of the buried oxide layer. Directly forming the SiN edge couplers on the highly-planar buried oxide layer provides structures with significantly reduced minimal dimension possibilities (as compared to SiN edge couplers within the PIC oxide stack), allowing for a beam emitted from the "SiN-on-box" coupler to exhibit a mode field diameter of larger size than associated with conventional SiN edge couplers positioned on dielectric over the silicon waveguide layer. L'invention concerne un circuit intégré photonique (PIC) comprenant un ou plusieurs coupleurs de bord de nitrure de silicium directement formés sur des parties exposées de la couche d'oxyde enterrée. La formation directe des coupleurs de bord SiN sur la couche d'oxyde enterrée hautement plane fournit des structures ayant des possibilités de dimension minimale significativement réduites (par comparaison avec des coupleurs de bord SiN dans l'empilement d'oxyde PIC), ce qui permet à un faisceau émis par le coupleur "SiN-sur-boîte" de présenter un diamètre de champ de mode de plus grande taille que celui associé à des coupleurs de bord SiN classiques positionnés sur un diélectrique sur la couche de guide d'ondes de silicium.