METAL SILICIDE CONTACT FORMATION

Provided are metal silicide contact forming processes including providing a substrate having a bottom crystalline silicon and dielectric sidewalls. This may be followed by metal layer deposition to form metal layer selectively on the bottom crystalline silicon using a metal halide precursor and a reducing agent. A ratio of a reducing agent flow rate to a metal halide precursor flow rate is at least 10:1, or 10:1-10,000:1. After the metal layer deposition, the substrate is annealed to convert the metal layer to a metal silicide layer without any substrate contamination. L'invention concerne des procédés de formation de contacts en siliciure métallique comprenant la production d'un substrat présentant du silicium cristallin inférieur et des parois latérales diélectriques. Ceci peut être suivi du dépôt d'une couche métallique pour former une couche métallique sélectivement sur le silicium cristallin inférieur à l'aide d'un précurseur d'halogénure métallique et d'un agent réducteur. Le rapport d'un débit de l'agent réducteur à un débit du précurseur d'halogénure métallique est d'au moins 10 : 1, ou de 10 : 1 à 10 000 : 1. Après le dépôt de la couche métallique, le substrat est recuit pour convertir la couche métallique en une couche de siliciure métallique sans aucune contamination du substrat.