POLISHING COMPOSITION

[Problem] To provide a polishing composition and method capable of controlling the SiN removal rate. [Solution] According to the present invention, a polishing composition that contains water, a SiN polishing rate inhibitor, and a polishing agent including cationic particles and that has a pH lower than 5 can reduce the SiN polishing rate with respect to a second material X (e.g., spin-on carbon). In addition, a polishing composition that contains water, a SiN polishing rate accelerator, and a polishing agent including cationic particles, and that has a pH not lower than 5 can increase the SiN polishing rate with respect to the second material X (e.g., spin-on carbon). Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de polissage et un procédé permettant de réguler le taux d'élimination du SiN. Selon la présente invention, la solution consiste en une composition de polissage qui contient de l'eau, un inhibiteur de taux de polissage du SiN, et un agent de polissage comprenant des particules cationiques et qui présente un pH inférieur à 5 peut réduire le taux de polissage du SiN par rapport à un second matériau X (par exemple, du carbone spin-on). De plus, une composition de polissage qui contient de l'eau, un accélérateur de taux de polissage du SiN et un agent de polissage comprenant des particules cationiques, et qui présente un pH d'au moins 5 peut augmenter le taux de polissage du SiN par rapport au second matériau X (par exemple, du carbone spin-on). 【課題】ＳｉＮ除去速度に対する制御を可能にする研磨用組成物および方法を提供すること。 【解決手段】カチオン性粒子を含む研磨剤と；ＳｉＮ研磨速度抑制剤と；水とを含み、５未満のｐＨを有する研磨用組成物は、第２の材料Ｘ（例えば、スピンオンカーボン）に対するＳｉＮの研磨速度を低減することができる。カチオン性粒子を含む研磨剤と；ＳｉＮ研磨速度促進剤と；水とを含み、５以下のｐＨを有する研磨用組成物は、第２の材料Ｘ（例えば、スピンオンカーボン）に対するＳｉＮの研磨速度を増加させることができる。