GATE ALL AROUND BACKSIDE POWER RAIL WITH DIFFUSION BREAK
Semiconductor devices and methods of manufacturing the same are described. The method includes forming a diffusion break opening on the backside and filling with a diffusion break material to service as a planarization stop. In some embodiments, a single diffusion break opening is formed. In other e...
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| Format: | Patent |
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| creator | BAZIZI, El Mehdi PAL, Ashish PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian YEOH, Andrew COLOMBEAU, Benjamin |
| description | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same are described. The method includes forming a diffusion break opening on the backside and filling with a diffusion break material to service as a planarization stop. In some embodiments, a single diffusion break opening is formed. In other embodiments, a mixed diffusion break opening is formed.
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le procédé comprend la formation d'une ouverture de rupture par diffusion sur la face arrière et le remplissage avec un matériau de rupture par diffusion destiné à servir de butée de planarisation. Dans certains modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion unique est formée. Dans d'autres modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion mixte est formée. |
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La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le procédé comprend la formation d'une ouverture de rupture par diffusion sur la face arrière et le remplissage avec un matériau de rupture par diffusion destiné à servir de butée de planarisation. Dans certains modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion unique est formée. Dans d'autres modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion mixte est formée.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230824&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023158689A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230824&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023158689A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BAZIZI, El Mehdi</creatorcontrib><creatorcontrib>PAL, Ashish</creatorcontrib><creatorcontrib>PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian</creatorcontrib><creatorcontrib>YEOH, Andrew</creatorcontrib><creatorcontrib>COLOMBEAU, Benjamin</creatorcontrib><title>GATE ALL AROUND BACKSIDE POWER RAIL WITH DIFFUSION BREAK</title><description>Semiconductor devices and methods of manufacturing the same are described. The method includes forming a diffusion break opening on the backside and filling with a diffusion break material to service as a planarization stop. In some embodiments, a single diffusion break opening is formed. In other embodiments, a mixed diffusion break opening is formed.
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le procédé comprend la formation d'une ouverture de rupture par diffusion sur la face arrière et le remplissage avec un matériau de rupture par diffusion destiné à servir de butée de planarisation. Dans certains modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion unique est formée. Dans d'autres modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion mixte est formée.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLBwdwxxVXD08VFwDPIP9XNRcHJ09g72dHFVCPAPdw1SCHL09FEI9wzxUHDxdHMLDfb091NwCnJ19OZhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRsaGphZmFpaOhsbEqQIA1y0pHQ</recordid><startdate>20230824</startdate><enddate>20230824</enddate><creator>BAZIZI, El Mehdi</creator><creator>PAL, Ashish</creator><creator>PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian</creator><creator>YEOH, Andrew</creator><creator>COLOMBEAU, Benjamin</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230824</creationdate><title>GATE ALL AROUND BACKSIDE POWER RAIL WITH DIFFUSION BREAK</title><author>BAZIZI, El Mehdi ; PAL, Ashish ; PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian ; YEOH, Andrew ; COLOMBEAU, Benjamin</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023158689A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BAZIZI, El Mehdi</creatorcontrib><creatorcontrib>PAL, Ashish</creatorcontrib><creatorcontrib>PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian</creatorcontrib><creatorcontrib>YEOH, Andrew</creatorcontrib><creatorcontrib>COLOMBEAU, Benjamin</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BAZIZI, El Mehdi</au><au>PAL, Ashish</au><au>PRANATHARTHIHARAN, Balasubramanian</au><au>YEOH, Andrew</au><au>COLOMBEAU, Benjamin</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>GATE ALL AROUND BACKSIDE POWER RAIL WITH DIFFUSION BREAK</title><date>2023-08-24</date><risdate>2023</risdate><abstract>Semiconductor devices and methods of manufacturing the same are described. The method includes forming a diffusion break opening on the backside and filling with a diffusion break material to service as a planarization stop. In some embodiments, a single diffusion break opening is formed. In other embodiments, a mixed diffusion break opening is formed.
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le procédé comprend la formation d'une ouverture de rupture par diffusion sur la face arrière et le remplissage avec un matériau de rupture par diffusion destiné à servir de butée de planarisation. Dans certains modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion unique est formée. Dans d'autres modes de réalisation, une ouverture de rupture par diffusion mixte est formée.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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