SILICON SENSORS WITH RESISTIVE READING WITHOUT IMAGE DISTORTION

The invention relates to semiconductor devices for detecting ionizing radiation with a position sensitive resistive reading system, with low resistance connections (strings) between the reading electrodes to limit distortion in determining the impact position of the radiation. The present invention focuses on the optimal characteristics of said strings, varying their doping level and/or their geometric characteristics as a function of their length L, so as to modulate their electrical resistance. In this way it is possible to optimize the precision of the reconstruction of the point of impact of the ionizing radiation, reducing the distortion in the reconstruction of the position of the events up to making it negligible. L'invention se rapporte à des dispositifs à semi-conducteur permettant de détecter un rayonnement ionisant à l'aide d'un système de lecture résistif sensible à l'emplacement, présentant des connexions (chaînes) à faible résistance entre les électrodes de lecture afin de limiter la distorsion dans la détermination de l'emplacement d'impact du rayonnement. La présente invention se concentre sur les caractéristiques optimales desdites chaînes, en faisant varier leur niveau de dopage et/ou leurs caractéristiques géométriques en fonction de leur longueur (L), de manière à moduler leur résistance électrique. Ainsi, il est possible d'optimiser la précision de la reconstruction du point d'impact du rayonnement ionisant, de réduire la distorsion dans la reconstruction de l'emplacement des événements jusqu'à la rendre négligeable.