HIGH FREQUENCY CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE

A high frequency circuit (1) comprises: filters (11 and 12) that use a band A for TDD as a pass band; a filter (20) that uses at least a portion of a band B as a pass band; and a switch circuit (30) that can simultaneously execute the connection of terminals (30a and 30b) and the connection of terminals (30a and 30d), or simultaneously execute the connection of terminals (30a and 30c) and the connection of terminals (30a and 30d). The filter (11) is connected to the terminal (30b), the filter (12) is connected to the terminal (30c), and the filter (20) is connected to the terminal (30d). The filter (12) comprises: a first elastic wave resonator connecting the ground and a series arm path connected to the terminal (30c): and an inductor (250) connected in series with the first elastic wave resonator between the series arm path and the ground. Among parallel arm resonators, the first elastic wave resonator is connected closest to the switch circuit (30). L'invention concerne un circuit haute fréquence (1) comprenant : des filtres (11 et 12) qui utilisent une bande A pour TDD en tant que bande passante; un filtre (20) qui utilise au moins une partie d'une bande B en tant que bande passante; et un circuit de commutation (30) qui peut exécuter simultanément la connexion de bornes (30a et 30b) et la connexion de bornes (30a et 30d) ou exécuter simultanément la connexion de bornes (30a et 30c) et la connexion de bornes (30a et 30d). Le filtre (11) est connecté à la borne (30b), le filtre (12) est connecté à la borne (30c) et le filtre (20) est connecté à la borne (30d). Le filtre (12) comprend : un premier résonateur à ondes élastiques reliant la masse et un trajet de bras en série connecté à la borne (30c); et une bobine d'induction (250) connectée en série au premier résonateur à ondes élastiques entre le trajet de bras en série et la masse. Parmi des résonateurs à bras parallèles, le premier résonateur à ondes élastiques est connecté le plus près du circuit de commutation (30). 高周波回路（１）は、ＴＤＤ用のバンドＡを通過帯域とするフィルタ（１１および１２）、バンドＢの少なくとも一部を通過帯域とするフィルタ（２０）と、端子（３０ａおよび３０ｂ）の接続と端子（３０ａおよび３０ｄ）の接続とを同時に実行し、端子（３０ａおよび３０ｃ）の接続と端子（３０ａおよび３０ｄ）の接続とを同時に実行できるスイッチ回路（３０）と、を備え、フィルタ（１１）は端子（３０ｂ）に接続され、フィルタ（１２）は端子（３０ｃ）に接続され、フィルタ（２０）は端子（３０ｄ）に接続され、フィルタ（１２）は、端子（３０ｃ）に接続された直列腕経路とグランドとの間に接続された第１弾性波共振子と、上記直列腕経路とグランドとの間で第１弾性波共振子と直列接続されたインダクタ（２５０）と、を備え、第１弾性波共振子は並列腕共振子のうちで最もスイッチ回路（３０）に近く接続されている。