UNIFORMITY CONTROL FOR PLASMA PROCESSING USING WALL RECOMBINATION

A system, method, and apparatus for processing substrates. A plasma processing system includes a processing chamber having a chamber body having walls with a first material enclosing an interior volume. The plasma processing system further includes a plasma source designed to expose a substrate disposed within the processing chamber to plasma related fluxes. The first material has a first set of recombination coefficients associated with the plasma related fluxes. The plasma processing system further includes a second material disposed along a first region of the chamber body, the first material having a second set of plasma recombination coefficients associated with the plasma related fluxes. The second set of plasma recombination coefficients is different that the first set of plasma recombination coefficients. L'invention concerne un système, un procédé et un appareil de traitement de substrats. Un système de traitement au plasma comprend une chambre de traitement ayant un corps de chambre ayant des parois avec un premier matériau renfermant un volume intérieur. Le système de traitement au plasma comprend en outre une source de plasma conçue pour exposer un substrat disposé à l'intérieur de la chambre de traitement à des flux liés au plasma. Le premier matériau a un premier ensemble de coefficients de recombinaison associés aux flux liés au plasma. Le système de traitement au plasma comprend en outre un second matériau disposé le long d'une première région du corps de chambre, le premier matériau ayant un second ensemble de coefficients de recombinaison de plasma associés aux flux liés au plasma. Le second ensemble de coefficients de recombinaison de plasma est différent du premier ensemble de coefficients de recombinaison de plasma.