DEPOSITION OF IODINE-CONTAINING CARBON FILMS
A method for depositing an iodine-containing fiIm on a substrate material comprises: exposing the substrate material to a vapor of a film-forming composition comprising an iodine-containing precursor having a formula of CaHxlyFz, wherein a= 1-10, x > 0, y > 1, z > 0, x+y+z = a, 2a or 2a+2;...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | NGUYEN, Phong STAFFORD, Nathan GUO, Xiangyu MARCHEGIANI, Fabrizio |
| description | A method for depositing an iodine-containing fiIm on a substrate material comprises: exposing the substrate material to a vapor of a film-forming composition comprising an iodine-containing precursor having a formula of CaHxlyFz, wherein a= 1-10, x > 0, y > 1, z > 0, x+y+z = a, 2a or 2a+2; provided that when a = 1, x = 2 and z = 0, y is not equal to 2, and depositing the iodine-containing film formed by the iodine-containing precursor on the substrate material through a vapor deposition method. The method further comprises exposing the substrate material to a vapor of a co-reactant nitrogen-containing molecule having a general formula CxHyFzNHa where x=1-6, y-0-13, z=0-13, and a=1-2 or CxHyFzN- R1, where x=1-6, y=0-13, z-0-13, and R1 is a C1-C5 hydrocarbon.
Un procédé de dépôt d'un fiIm contenant de l'iode sur un matériau de substrat comprend : l'exposition du matériau de substrat à une vapeur de composition filmogène comprenant un précurseur contenant de l'iode de formule CaHxlyFz, dans laquelle a va de 1 à 10, x > 0, y > 1, z > 0, x + y + z = a, 2a ou 2a +2, et lorsque a = 1, x = 2 et z = 0, y n'est pas égal à 2 ; et le dépôt du film contenant de l'iode formé par le précurseur contenant de l'iode sur le matériau de substrat par un procédé de dépôt en phase vapeur. Le procédé comprend en outre l'exposition du matériau de substrat à une vapeur d'une molécule contenant de l'azote co-réactif de formule générale CxHyFzNHa, où x va de 1 à 16, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et a = 1 ou 2, ou bien CxHyFzN-R1, où x va de 1 à 6, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et R1 est un hydrocarbure en C1 à C5. |
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Un procédé de dépôt d'un fiIm contenant de l'iode sur un matériau de substrat comprend : l'exposition du matériau de substrat à une vapeur de composition filmogène comprenant un précurseur contenant de l'iode de formule CaHxlyFz, dans laquelle a va de 1 à 10, x > 0, y > 1, z > 0, x + y + z = a, 2a ou 2a +2, et lorsque a = 1, x = 2 et z = 0, y n'est pas égal à 2 ; et le dépôt du film contenant de l'iode formé par le précurseur contenant de l'iode sur le matériau de substrat par un procédé de dépôt en phase vapeur. Le procédé comprend en outre l'exposition du matériau de substrat à une vapeur d'une molécule contenant de l'azote co-réactif de formule générale CxHyFzNHa, où x va de 1 à 16, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et a = 1 ou 2, ou bien CxHyFzN-R1, où x va de 1 à 6, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et R1 est un hydrocarbure en C1 à C5.</description><language>eng ; fre</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230622&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023114210A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230622&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023114210A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NGUYEN, Phong</creatorcontrib><creatorcontrib>STAFFORD, Nathan</creatorcontrib><creatorcontrib>GUO, Xiangyu</creatorcontrib><creatorcontrib>MARCHEGIANI, Fabrizio</creatorcontrib><title>DEPOSITION OF IODINE-CONTAINING CARBON FILMS</title><description>A method for depositing an iodine-containing fiIm on a substrate material comprises: exposing the substrate material to a vapor of a film-forming composition comprising an iodine-containing precursor having a formula of CaHxlyFz, wherein a= 1-10, x > 0, y > 1, z > 0, x+y+z = a, 2a or 2a+2; provided that when a = 1, x = 2 and z = 0, y is not equal to 2, and depositing the iodine-containing film formed by the iodine-containing precursor on the substrate material through a vapor deposition method. The method further comprises exposing the substrate material to a vapor of a co-reactant nitrogen-containing molecule having a general formula CxHyFzNHa where x=1-6, y-0-13, z=0-13, and a=1-2 or CxHyFzN- R1, where x=1-6, y=0-13, z-0-13, and R1 is a C1-C5 hydrocarbon.
Un procédé de dépôt d'un fiIm contenant de l'iode sur un matériau de substrat comprend : l'exposition du matériau de substrat à une vapeur de composition filmogène comprenant un précurseur contenant de l'iode de formule CaHxlyFz, dans laquelle a va de 1 à 10, x > 0, y > 1, z > 0, x + y + z = a, 2a ou 2a +2, et lorsque a = 1, x = 2 et z = 0, y n'est pas égal à 2 ; et le dépôt du film contenant de l'iode formé par le précurseur contenant de l'iode sur le matériau de substrat par un procédé de dépôt en phase vapeur. Le procédé comprend en outre l'exposition du matériau de substrat à une vapeur d'une molécule contenant de l'azote co-réactif de formule générale CxHyFzNHa, où x va de 1 à 16, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et a = 1 ou 2, ou bien CxHyFzN-R1, où x va de 1 à 6, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et R1 est un hydrocarbure en C1 à C5.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNBxcQ3wD_YM8fT3U_B3U_D0d_H0c9V19vcLcfT08_RzV3B2DHICyrl5-vgG8zCwpiXmFKfyQmluBmU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSS-HB_IwMjY0NDEyNDA0dDY-JUAQApQiX1</recordid><startdate>20230622</startdate><enddate>20230622</enddate><creator>NGUYEN, Phong</creator><creator>STAFFORD, Nathan</creator><creator>GUO, Xiangyu</creator><creator>MARCHEGIANI, Fabrizio</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230622</creationdate><title>DEPOSITION OF IODINE-CONTAINING CARBON FILMS</title><author>NGUYEN, Phong ; STAFFORD, Nathan ; GUO, Xiangyu ; MARCHEGIANI, Fabrizio</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023114210A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NGUYEN, Phong</creatorcontrib><creatorcontrib>STAFFORD, Nathan</creatorcontrib><creatorcontrib>GUO, Xiangyu</creatorcontrib><creatorcontrib>MARCHEGIANI, Fabrizio</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NGUYEN, Phong</au><au>STAFFORD, Nathan</au><au>GUO, Xiangyu</au><au>MARCHEGIANI, Fabrizio</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEPOSITION OF IODINE-CONTAINING CARBON FILMS</title><date>2023-06-22</date><risdate>2023</risdate><abstract>A method for depositing an iodine-containing fiIm on a substrate material comprises: exposing the substrate material to a vapor of a film-forming composition comprising an iodine-containing precursor having a formula of CaHxlyFz, wherein a= 1-10, x > 0, y > 1, z > 0, x+y+z = a, 2a or 2a+2; provided that when a = 1, x = 2 and z = 0, y is not equal to 2, and depositing the iodine-containing film formed by the iodine-containing precursor on the substrate material through a vapor deposition method. The method further comprises exposing the substrate material to a vapor of a co-reactant nitrogen-containing molecule having a general formula CxHyFzNHa where x=1-6, y-0-13, z=0-13, and a=1-2 or CxHyFzN- R1, where x=1-6, y=0-13, z-0-13, and R1 is a C1-C5 hydrocarbon.
Un procédé de dépôt d'un fiIm contenant de l'iode sur un matériau de substrat comprend : l'exposition du matériau de substrat à une vapeur de composition filmogène comprenant un précurseur contenant de l'iode de formule CaHxlyFz, dans laquelle a va de 1 à 10, x > 0, y > 1, z > 0, x + y + z = a, 2a ou 2a +2, et lorsque a = 1, x = 2 et z = 0, y n'est pas égal à 2 ; et le dépôt du film contenant de l'iode formé par le précurseur contenant de l'iode sur le matériau de substrat par un procédé de dépôt en phase vapeur. Le procédé comprend en outre l'exposition du matériau de substrat à une vapeur d'une molécule contenant de l'azote co-réactif de formule générale CxHyFzNHa, où x va de 1 à 16, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et a = 1 ou 2, ou bien CxHyFzN-R1, où x va de 1 à 6, y va de 0 à 13, z va de 0 à 13 et R1 est un hydrocarbure en C1 à C5.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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