OXYGEN AND IODINE-CONTAINING HYDROFLUOROCARBON COMPOUND FOR ETCHING SEMICONDUCTOR STRUCTURES

A method comprises: introducing a vapor of an oxygen and iodine-containing etching compound into a chamber that contains a substrate having a silicon-containing film deposited thereon and a patterned mask layer deposited on the silicon-containing layer, wherein the oxygen and iodine-containing etching compound has the formula CnHxFylzOe, wherein 0 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 1 ≤ z ≤ 4 and 1 ≤ e ≤ 2; activating a plasma to produce an activated oxygen and iodine-containing etching compound; and allowing an etching reaction to proceed between the activated oxygen and iodine-containing etching compound and the silicon-containing film to selectively etch the silicon-containing film from the patterned mask layer, thereby forming a patterned structure. L'invention concerne un procédé consistant à : introduire une vapeur d'un composé de gravure contenant de l'oxygène et de l'iode dans une chambre qui contient un substrat sur lequel est déposé un film contenant du silicium et une couche de masque à motifs déposée sur la couche contenant du silicium, le composé de gravure contenant de l'oxygène et de l'iode ayant la formule CnHxFylzOe, où 0 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 1 ≤ z ≤ 4 et 1 ≤ e ≤ 2 ; activer un plasma pour produire un composé de gravure contenant de l'oxygène et de l'iode activé ; et permettre à une réaction de gravure de se dérouler entre l'oxygène activé et le composé de gravure contenant de l'iode et le film contenant du silicium pour graver sélectivement le film contenant du silicium à partir de la couche de masque à motifs, ce qui permet de former une structure à motifs.