SEMICONDUCTOR ASSEMBLY COMPRISING AT LEAST TWO SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung (2) mit mindestens, insbesondere parallel geschalteten, Halbleiterelementen (4), einem isolierenden Substrat (6) und einem Anschlusselement (44), wobei das Substrat (6) elektrisch voneinander isolierte Leiterbahnen (10, 12, 14) aufweist, wobei die Halbleiterelemente (4), insbesondere stoffschlüssig, mit einer ersten Leiterbahn (10) des Substrats (6) verbunden sind und auf einer dem Substrat (6) abgewandten Seite jeweils zumindest eine Kontaktfläche (26) aufweisen, wobei jeweils zumindest eine Kontaktfläche (26) der Halbleiterelemente (4) über erste Bondverbindungsmittel (28) mit einer zweiten Leiterbahn (12) des Substrats (6) verbunden ist, wobei die zweite Leiterbahn (12) über elektrisch leitfähige Verbindungsmittel (32, 32a, 32b, 32c, 32d) mit einer dritten Leiterbahn (14) des Substrats (6) verbunden ist, wobei die dritte Leiterbahn (14) mit dem Anschlusselement (44) verbunden ist, wobei von den Halbleiterelementen (4) zum Anschlusselement (44) jeweils ein Strompfad mit einer Strompfad-Impedanz ausgebildet ist. Um eine höhere Lebensdauer zu erreichen und Kosten zu sparen, wird vorgeschlagen, dass die elektrisch leitfähigen Verbindungsmittel (32, 32a, 32b, 32c, 32d) derartig dimensioniert und/oder angeordnet sind, dass die Strompfad-Impedanzen der jeweiligen Strompfade im Wesentlichen ausgeglichen sind. The invention relates to a semiconductor assembly (2) comprising: at least semiconductor elements (4) that are in particular connected in parallel; an insulating substrate (6); and a connection element (44), the substrate (6) having conductor tracks (10, 12, 14) that are electrically insulated from one another, the semiconductor elements (4) being connected, in particular in an integrally bonded manner, to a first conductor track (10) of the substrate (6) and each having at least one contact surface (26) on a side facing away from the substrate (6), at least one contact surface (26) of the semiconductor elements (4) being connected to a second conductor track (12) of the substrate (6) via first bonded connection means (28), the second conductor track (12) being connected via electrically conductive connecting means (32, 32a, 32b, 32c, 32d) to a third conductor track (14) of the substrate (6), the third conductor track (14) being connected to the connection element (44), wherein a current path having a current path impedance is formed from each of the semiconductor elements (4) to the connection element (44).