POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a power semiconductor device in which heat dissipation from a semiconductor element is high. The power semiconductor device comprises a semiconductor device, a heat sink, grease, an adhesive, and a terminal block. The semiconductor device includes a semiconductor element, a sealing material for sealing the semiconductor element, and a power terminal electrically connected to the semiconductor element, wherein: a first region, which is a selective region of the lower surface of the semiconductor device, is adhered to the heat sink by the adhesive; and the semiconductor device contacts the heat sink through the grease at a second region, which is a region on the lower surface of the semiconductor device other than the selective region; the terminal block includes an electrode on the upper surface thereof; and the power terminal of the semiconductor device is fixed to the terminal block and electrically connected to the electrode of the terminal block. L'invention concerne un semi-conducteur de puissance dans lequel la dissipation thermique d'un élément semi-conducteur est élevée. Le semi-conducteur de puissance comprend un dispositif semi-conducteur, un dissipateur thermique, de la graisse lubrifiante, un adhésif et un bornier. Le dispositif semi-conducteur comprend un élément semi-conducteur, un matériau d'étanchéité pour sceller l'élément semi-conducteur, et une borne de puissance électriquement connectée à l'élément semi-conducteur ; une première région, qui est une région sélective de la surface inférieure du dispositif semi-conducteur, est mise à adhérer au dissipateur thermique par l'adhésif ; et le dispositif semi-conducteur entre en contact avec le dissipateur thermique par le biais de la graisse lubrifiante au niveau d'une seconde région, qui est une région sur la surface inférieure du dispositif semi-conducteur autre que la région sélective ; le bornier comprend une électrode sur sa surface supérieure ; et la borne de puissance du dispositif semi-conducteur est fixée au bornier et connectée électriquement à l'électrode du bornier. 半導体素子からの放熱性の高い電力用半導体装置を提供する。電力用半導体装置は、半導体装置と、ヒートシンクと、グリスと、接着剤と、端子台と、を備え、半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を封止する封止材と、半導体素子と電気的に接続されている電力端子と、を備え、半導体装置の下面の選択的な領域である第１の領域はヒートシンクと接着剤により接着されており、半導体装置は、半導体装置の下面のうち選択的な領域以外の領域である第２の領域において、グリスを介してヒートシンクと接しており、端子台は上面に電極を備え、半導体装置の電力端子は、端子台と固定され、かつ、端子台の電極と電気的に接続されている。